Showing papers by "Somnath Ghosh published in 1992"

Effect of an electric field on size-quantized photoemission from nanometer films of semiconductors

Abstract: An attempt is made to investigate the electric field-aided photoemission from quantum wells in ultrathin films of degenerate wide-gap semiconductors, taking n-type GaAs as an example. It is found that the photoemission varies in a step-like manner with photon energies close to the electron affinity and exhibits oscillatory character in its dependence on the film thickness, both in presence and absence of an electric field. For photon energies significantly lower than the electron affinity, a quantized nature of the emission is observed in certain ranges of film thicknesses. Besides, the rate of increase of the photoemission with electric field is seen to increase with increasing film thickness over the range of thicknesses of interest in ultrathin films. Am Beispiel von n-GaAs wird die feldgestutzte Photoemission von Quantenwells in ultradunnen Schichten degenerierter Breitbandhalbleiter untersucht. Die Photoemission andert sich stufenformig, wenn die Photonenenergie nahe der Elektronenaffinitat ist und zeigt Oszillationen in der Abhangigkeit von der Schichtdicke sowohl mit als auch ohne angelegtes elektrisches Feld. Fur Photonenenergien merklich unterhalb der Elektronenaffinitat ist die Emission in gewissen Dickenbereichen quantisiert. Die Wachstumsrate der Photoemission im elektrischen Feld nimmt mit der Schichtdicke im gesamten interessierenden Bereich ultradunner Schichten zu.