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Plural and multiple scattering of low‐energy heavy particles in solids

Abstract: Small-angle multiple scattering of low-energy heavy particles (Born parameter α > 1) in solid layers is calculated, using a scattering cross section derived from classical mechanics. The angular distribution of the scattered particles is given as a sum of two functions, which are tabulated. The calculated distributions coincide with those of the well-known theory of Moliere for large thicknesses of material. For small thicknesses there are profound deviations. Ausgehend von einem nach der klassischen Mechanik ermittelten Streuquerschnitt wird die Vielfachstreuung niederenergetischer schwerer Teilchen (Born-Parameter α > 1) in Festkorperschichten berechnet. Die Rechnung liefert die Winkelverteilung der gestreuten Teilchen als Summe zweier Funktionen, die in Tabellenform angegeben werden. Die berechneten Verteilungen gehen bei grosen Schichtdicken in diejenigen der Theorie von Moliere uber. Bei kleinen Schichtdicken ergeben sich wesentliche Abweichungen von dieser Theorie.

Elastic Electron Scattering in InSb‐Type Semiconductors

Abstract: Relaxation times for elastic electron scattering in III–V compounds of InSb type are calculated taking into account consistently the nonparabolic structure of the conduction band, both in the density of states and electron wave functions. The calculations are based on the Kane model of band structure, including explicitly mixing of p-like components into the total wave function of the conduction band. Electron scattering by charged impurities and heavy holes, optical phonons (polar interaction), acoustic phonons, and piezo-acoustic modes are considered. Screening by free electrons is included in the long-range interactions and shown to play an important role at higher electron concentrations. Both spin-conserving and spin-flip transitions are considered for all modes. It is demonstrated that transverse branches participate appreciably in acoustic scattering at high electron energies. In all cases, the presented calculations give much higher values of the theoretical mobilities for heavily doped samples than those obtained up to now taking into account only the proper density of states. Die Relaxationszeiten fur elastische Elektronenstreuung in III–V-Verbindungen vom InSb-Typ werden unter konsistenter Berucksichtigung der nichtparabolischen Struktur des Leitungsbandes sowohl in dar Zustandsdichte als auch in der Wellenfunktion berechnet. Die Berechnungen beruhen auf dem Kaneschen Bandstrukturmodell, wobei explizit die Zumischung von p-artigen Komponenten in die Gesamtwellenfunktion des Leitungsbandes eingeschlossen wird. Elektronenstreuung durch geladene Defekte und schwere Locher, optische Phononen (polare Wechselwirkung), akustische Phononen und piezo-akustische Moden werden berucksichtigt. In den langreichweitigen Wechselwirkungen wird Abschirmung durch freie Elektronen eingeschlossen und gezeigt, das sie eine bedeutende Rolle bei hoheren Elektronenkonzentrationen spielen. Es werden sowohl spin-erhaltende als auch spin-flip-Ubergange fur alle Moden berucksichtigt. Es wird gezeigt, das transversale Zweige einen betrachtlichen Anteil an der akustischen Streuung bei hohen Elektronenenergien haben. In allen Fallen ergeben die dargelegten Berechnungen viel hohere Werte der theoretischen Beweglichkeiten fur stark dotierte Proben als die bisher erhaltenen, die nur die richtige Zustandsdichte berucksichtigen.

Pressure Dependence of Elastic Constants and Crystal Stability of Alkali Halides: NaI and KI†

Abstract: The single crystal elastic constants and their first and second pressure derivatives have been measured ultrasonically at 298 °K for NaI and KI. Fair agreement with lattice theoretical data calculated from an interaction potential composed of Coulomb, van der Waals and first and second nearest neighbor repulsive forces is found. On the basis of this model it is possible to explain semi-quantitatively that the first pressure derivatives of the elastic constants of all alkali halides depend almost exclusively on the cation. The convergence of the Taylor expansion of the elastic constants with respect to pressure is investigated theoretically. On the basis of Born's stability criteria the relations between the pressure dependence of the shear moduli c44 and cS to the B1-B2 transition and the melting curve are investigated. Die elastischen Konstanten sowie ihre ersten und zweiten Druckkoeffizienten wurden fur NaI- und KI-Einkristalle mittels Ultraschallverfahren bei 298 °K gemessen. Die Uberein-stimmung mit theoretischen Werten, die unter der Annahme von Coulomb-, van der Waals-und Abstosungskraften zwischen nachsten und ubernachsten Nachbarn berechnet wurden, ist befriedigend. Auf der Grundlage dieses Modells last sich qualitativ gut erklaren, das fur alle Alkalihalogenide die ersten Druckkoeffizienten der elastischen Konstanten praktisch nur vom Kation abhangen. Die Konvergenz der Reihenentwicklung der elastischen Konstanten bezuglich des Drucks wird theoretisch untersucht. Auf der Grundlage der Bornschen Stabilitatskriterien werden die Beziehungen zwischen der Druckabhangigkeit der beiden Schubmoduln c44 und cS und der B1-B2 Phasenumwandlung, sowie der Schmelzpunktkurve untersucht.

Neutron diffraction by vortex lattlices in superconducting Nb and Nb0.73Ta0.27

Abstract: Neutron diffraction experiments on flux line lattices in superconducting Nb and NbTa are reported. From experimental data (form factors, lattice parameters, rocking curves etc.) following results are obtained. The microscopic flux distribution of a single flux line in NbTa could be determined. For Nb the form factors are compared with a theory valid in the vicinity of Hc2 A correlation between the flux line lattice and the crystal lattice has been found. Finally the attractive interaction between neighbouring flux lines in Nb has been verified and the resulting maximum lattice parameter compared with the corresponding distance in recent nonlocal calculations. Es wird uber Neutronenbeugungsexperimcnte an Flusliniengittern in supraleitendem Nb and NbTa berichtet. Aus den experimentellen Daten (Formfaktoren, Gitterparameter, Rocking-Kurven etc.) wurden folgende Resultate gewonnen: Die mikroskopische Feldvearteilung einer isolierten Fluslinie in NbTa konnte bestimmt werden. Fur Nb wurden die gemesscnen Formfaktoren mit einer in der Nahe von Hc2 gultigen Theorie verglichen, und es wurde eine Wechselwirkung zwischen dem Flusfadengitter und dem Kristallgitter gefunden. Schlieslich wurdr die anziehende Wechselwirkung zwischen benachbarten Flubslinien im Nb bestatigt und dcr daraus resultierende maximale Gitterparameter mit Werten aus theoretischen Rechnungen verglichen.

The origin of the structural phase transition in Gd2(MoO4)3

Abstract: The phase transition in Gd2(MoO4)3 at 159 °C is investigated on the base of symmetry changes using standard group-theoretical methods. It is shown that a two-dimensional representation exists with k = 1/2 (b1 + b2) which induces a symmetry change from Dd to Cv and could be responsible for the phase transition. The appropriate form of the free energy is developed and compared with that proposed by Levanyuk and Sannikov [1]. Der Phasenubergang in Gd2(MoO4)3 bei 159 °C wird mit gruppentheoretischen Standard-methoden auf der Basis von Symmetrieanderungen untersucht. Es wird gezeigt, das eine zweidimensionale Darstellung mit k = 1/2 (b1 + b2) existiert, und das diese wahrscheinlich die Anderung der Symmetric von Dd zu Cv induziert. Die geeignete Form der freien Energie wird entwickelt und mit derjenigen verglichen, die fruher von Levanyuk und Sannikov [1] vorgeschlagen wurde.

Analysis of tracer and nuclear magnetic resonance measurements of self‐diffusion in aluminium

Abstract: The various nuclear magnetic resonance techniques used for determining self-diffusion coefficients and activation energies in aluminium are evaluated critically. The data considered most reliable are analyzed together with the Al26-tracer measurements of self-diffusion. From the temperature and the pressure dependence of the self-diffusion coefficients it is deduced that at high temperatures divacancies contribute appreciably to self-diffusion in aluminium and that the self-diffusion activation energy for a monovacancy mechanism is Q1 E + E = 1.28 eV. With the help of measurements on the equilibrium concentration of vacant sites Q1 is subdivided into the formation energy E = 0.66 eV and the migration energy E = 0.63 eV. The difference between migration and binding energies of divacancies is found to be E E = 0.28 eV. It is shown that the ratio of the self-diffusion activation volume for monovscancies to the atomic volume is smaller than unity and about equal to 0.9. Die verschiedenen Kernspinresonanzmethoden zur Bestimmung von Selbstdiffusions-koeffizienten und Selbstdiffusions-Aktivierungsenergien werden kritisch diskutiert. Die als besonders zuverlassig angesehenen Daten werden gemeinsam mit Al26-tracer-Messungen ausgewertet. Ans der Temperatur- und Druckabhangigkeit des Selbstdiffusionskoeffizien-ten folgt, das bei hohen Temperaturen Doppelleerstellen wesentlieh zur Selbstdiffusion von Aluminium beitragen, und das die Selbstdiffusionsaktivierungsenergie fur den Einfachleerstellenmechanismus Q1 E + E = 1,28 eV betragt. Unter Hinzuziehung von Messimgen uber die Gleichgewichtskonzentration von Leerstellen last sich dieser Wert in die Bildungsenergie E = 0,66 eV und die Wanderungsenergie E = 0,63 eV zerlegen. Als Differenz zwischen der Bindungs- und Wanderungsenergie von Doppelleerstellen ergibt sich E E = 0,28 eV. Es last sich ferner zeigen, das das Verhaltnis des Selbstdiffusions. Aktivierungsvolumens zum Atomvolumen fur Einfachleerstellen etwa 0,9 betragt.

A Neutron Diffraction Study of Palladium Hydride

Abstract: Neutron diffraction measurements have been made on palladium hydride formed by soaking powdered palladium in gaseous hydrogen. The results obtained are best described in terms of a palladium lattice with hydrogen atoms in octahedral positions. Palladiumhydrid, durch Absorption von gasformigem Wasserstoff in Palladiumpulver hergestellt, wird mit Neutronenstreuung untersucht. Die experimentellen Ergebnisse werden mittels eines Palladiumgitters mit Wasserstoffatomen in oktaedrischen Lagen am besten beschrieben.

Antiferromagnetism in an oxide semiconducting glass

Abstract: The magnetic structure of a 55 mol% FeO–45 mol% P2O5 semiconducting glass containing various relative concentrations of Fe3+ and Fe2+ has been studied by ESR techniques over the temperature range −190 to 300 °C. It was determined that the iron ions in the glass matrix are antiferromagnetically coupled in Fe3+–Fe2+ ion pairs. The isolated Fe3+−Fe2+ ion pairs. The isolated Fe3+ ions were found to be in orthorhombic crystalline fields with λ = 1/3 and 0.23 < D < 0.8 cm−1, where D and λ are constants in the spin Hamiltonian. Heat treatment of the glass samples caused precipitation of Fe3+-rich crystalline phases, and it was determined that the Fe3+ ions in these phases were antiferromagnetically aligned. Die magnetische Struktur eines 55 Mol% FeO– 45 Mol% P2O5-Halbleiterglases mit verschiedenen Konzentrationen von Fe3+- und Fe2+-Ionen wurde mittels ESR im Temperatur-bereich von −190 bis 300 °C untersucht. Es wird gefunden, das die Eisenionen im Glas in antiferromagnetischen Fe3+−Fe2+-Paaren auftreten. Die isolierten Fe3+-Ionen befinden sich in orthorhombischen Kristallfeldern mit λ = 1/3 und 0,23 < D < 0,8 cm−1, wobei D und λ Konstanten im Spin-Hamiltonian sind. Eine Erhitzung des Glases verursachte einen Fe3+-reichen Kristallniederschlag, und es wurde festgestellt, das die Fe3+-Ionen im Niederschlag antiferromagnetisch ausgerichtet sind.

General features of field emission from semiconductors

Abstract: A theory of field emission from p- and n-type semiconductors is developed without use of the zero current approximation. It is demonstrated that in p-type semiconductors, near the crystal boundary, a weakly conducting region is formed, depleted of mobile carriers which exerts a limiting influence on the current and results in a saturation region appearing in the current-voltage curve. The saturation current value depends, essentially, on the generation rate of mobile carriers. In n-type semiconductors this kind of region is not formed, and the phenomenon of saturation arises due to the limited generation rate throughout the whole depth of the sample. [Russian Text Ignored].

Role of Dislocation Annihilation during Steady‐State Deformation

Abstract: The relations between generation, glide, and annihilation of dislocations during plastic deformation are represented in terms of control theory. It is inferred that the rate of steady-state deformation is proportional to the rate of dislocation annihilation and that annihilation is even rate-controlling at least in certain ranges of temperature and strain rate. A model of annihilation-controlled steady-state deformation is proposed, which assumes that cell boundaries form barriers for dislocation glide and allows for local variation of the mean effective stress for glide according to the cellular dislocation structure. The model explains steady-state deformation behaviour at low stresses. Modifications of the model necessary in the high stress range are discussed. Erzeugung, Gleitbewegung und Vernichtung von Versetzungen wahrend plastischer Verformung lassen sich in einen Regelkreis einordnen. Man sieht, das die Geschwindigkeit stationarer Verformung proportional zur Versetzungsvernichtungsrate ist und das Versetzungsvernichtung zumindest in bestimmten Temperatur- und Geschwindigkeitsbereichen sogar geschwindigkeitsbestimmend ist. Davon ausgehend, das Zellgrenzen als Versetzungshindernisse entscheidend sind, wird ein Modell vernichtungsbestimmter stationarer Verformung vorgeschlagen, welches eine raumliche Variation der mittleren effektiven Spannung fur Gleitung entsprechend der Versetzungszellstruktur in Rechnung stellt. Das Modell erklart stationares Verformungsverhalten bei niedrigen Spannungen. Die im Gebiet hoher Spannungen notwendigen Modifikationen des Modells werden diskutiert.

Neutron Diffraction Study of Ni(OH)2

Abstract: A synthetic polycrystalline sample of Ni(OH)2 was investigated by means of neutron diffraction in the temperature range 4.2 to 293 °K. The crystallochemical structure of this compound is analogous to the structure of Ca(OH)2. At temperatures below 28 °K Ni(OH)2 is antiferromagnetic with magnetic moments directed parallel to the c0-axis.

The Relationship between the Work‐Hardening of B.C.C. and F.C.C. Metals

Abstract: The paper develops and supports in some detail the hypothesis that the well-known “three-stages work-hardening” curve of b.c.c. metals is closely analogous, beyond its inflexion point, to stage-III work-hardening of f.c.c. metal single crystals. The basic reason for this correspondence is that in both cases screw dislocations may cross-slip easily. A qualitative picture for stage-III hardening in f.c.c. metals and for the work-hardening of b.c.c. metals based on the internal stresses originating from dislocation sheets parallel to the primary glide plane (or the glide plane of maximum shear stress) is proposed. Die vorliegende Arbeit entwickelt die Hypothese, das die bekannte “Drei-Bereiche”-Verfestigungskurve der kubisch-raumzentrierten Metalle von ihrem Wendepunkt ab das Analogon zum Bereich III der Verfestigungskurve der kubisch-flachenzentrierten Metall-einkristalle bildet, und stutzt sie durch einen detaillierten Vergleich der vorliegenden Experimente. Dieser enge Zusammenhang ruhrt davon her, das in beiden Fallen die Schrau-benversetzungen des primaren Gleitsystems leicht quergleiten konnen. Ausgehend von den weitreichenden Spannungsfeldern der etwa parallel zur Hauptgleitebene (bzw. zur Gleitebene maximaler Schubspannung) liegenden Versetzungsschichten wird eine qualitative Deutung der Verfestigung im Bereich III der kubisch-flachenzentrierten Metalle und bei den kubisch raumzentrierten Metallen entwickelt.

Energy band structures of Cd3P2 and Zn3P2

Abstract: A pseudopotential energy band calculation is carried out for a hypothetical crystal which corresponds to Cd3P2 and Zn3P2. From these results, the conduction band effective masses as well as the interband transition assignments associated with the optical reflectivity peaks are deduced. The temperature dependence of the energy gap for these materials is estimated and dEg/dT is shown to be negative. Mit der Pseudopotential-Methode wird eine Energiebandberechnung fur einen hypothetischen Kristall, der Cd3P2 und Zn3P2 entspricht, durchgefuhrt. Mit diesen Ergebnissen werden die effektiven Massen des Leitungsbandes sowie die Zuordnungen der Interband-ubergange zu den Maxima des optischen Reflexionsvermogens hergeleitet. Die Temperatur-abhangigkeit der Energielucke wird fur diese Stoffe abgeschatzt und gezeigt, das dEg/dT negativ ist.

Spin magnetic moment and spin resonance of conduction electrons in α‐Sn‐type semiconductors

Abstract: The magnetic energy levels in a symmetry-induced zero-gap semiconductor of α-Sn-type are calculated in the three-level model. An analytical expression for the g-factor of conduction electrons is derived and shown to be in good agreement with existing experimental data on HgTe and HgSe. The electron wave function for the conduction band is found explicitly and the optical absorption due to electric dipole transitions between spin states of the same Landau level (electric spin resonance) as well as that due to combined transitions (electric combined resonance) is calculated. Die magnetischen Energieniveaus in einem symmetriebedingten „gap”-Iosen Halbleiter vom α-Sn-Typ werden im Drei-Niveau-Modell berechnet. Es wird ein analytischer Ausdruck fur den g-Faktor der Leitungselektronen erhalten und gezeigt, das er in guter Ubereinstimmung mit existierenden experimentellen Werten von HgTe und HgSe ist. Die Elektronenwellenfunktion fur das Leitungsband wird explizit angegeben und die optische Absorption sowohl durch elektrische Dipolubergange zwischen Spinzustanden desselben Landauniveaus (elektrische Spinresonanz) als auch durch kombinierte Ubergange (elektrische, kombinierte Resonanz) berechnet.

The elastic energy of a straight dislocation in an infinite anisotropic elastic medium

Abstract: An expression for the elastic energy per unit length of a straight dislocation in a medium of arbitrary anisotropy is derived in a form which is simply suited for numerical calculations. The expression utilizes laboratory coordinates throughout and, unlike previous analyses, its evaluation does not rely upon solving the roots of a sextic algebraic equation. Numerical results are presented for glide dislocations in three cubic metals of low, intermediate and large anisotropy — niobium: copper, and lithium. Ein Ausdruck fur die elastische Energie pro Einheitslange einer geraden Versetzung in einem Medium belicbiger Anisotropie wird in einer Form angcgeben, die einfach und geeignet fur numerische Berechnungen ist. Der Ausdruck benutzt durchweg Laboratoriums-koordinaten, wobei, im Gegensatz zu fruheren Analysen, seine Berechnung nicht auf der Losung der Wurzeln einer dgebraischen Gleichung sechsten Grades beruht. Numerische Ergebnisse werden fur Versetzungsgleiten in drei kubischen Metallen mit niedriger, mittlerer und groser Anisotropie — Niobium, Kupfer und Ihhium — angegeben.

Analysis of point defect states in copper. III. Interaction between copper interstitials and impurities

Abstract: The influence of impurities on the production of stable defects by electron irradiation at 80 °K has been studied in dilute alloys of copper with Ni, Mn, Au, Mg, or Sb. Using damage rate measurements the capture radii of the different impurities for freely migrating copper interstitials are determined with respect to the capture radius of the vacancy (rt/rv). The interstitial impurity interaction can quantitatively be accounted for by the continuum theory of elasticity. An verdunnten Legierungen des Kupfers mit Ni, Mn, Au, Mg und Sb wurde der Einflus dieser Fremdatome auf die Erzeugung stabiler Frenkeldefekte durch Elektronenbestrahlung bei 80 °K untersucht. Aus Messungen der Schadigungsrate werden die Einfangradien der verschiedenen Fremdatome fur frei wandernde Kupfer-Zwischengitteratome relativ zum Einfangradius der Leerstelle bestimmt (rt/rv). Die Wechselwirkung zwischen Zwischengitteratom und Fremdatom kann mit Hilfe der Kontinuumstheorie der Elastizitat quantitativ beschrieben werden.

A Thermodynamic Theory of Gadolinium Molybdate

Abstract: A thermodynamic theory of the elastic and dielectric properties of gadolinium molybdate is developed on the basis of a free energy expansion, which properly describes the space group symmetry change of gadolinium molybdate at 159 °C. The temperature dependence of the material constants is qualitatively explained and it is shown to be connected with the sixth order terms in the phase transition parameters. The magnitude of coupling of the polarization with the phase transition parameters and the origin of the spontaneous polarization are discussed. Eine thermodynamische Theorie der elastischen und dielektrischen Eigenschaften von Gadoliniummolybdat wird auf der Grundlage einer Entwicklung der Freien Energie angegeben, die die Anderung der Raumgruppensymmetrie von Gadoliummolybdat bei 159 °C richtig wiedergibt. Die Temperaturabhangigkeit der Materialkonstanten wird qualitativ erklart und es wird gezeigt, das sie mit Termen sechster Ordnung in den Parametern des Phasenubergangs verknupft ist. Die Grose der Kopplung der Polarisation mit den Phasen-ubergangsparametern und der Ursprung der spontanen Polarisation werden diskutiert.

Magnetisierungskurven von Supraleitern zweiter Art mit kleinen Ginzburg-Landau-Parametern

Abstract: Magnetisierungskurven von homogenen Blei-Thallium-Einkristallen mit Ginzburg-Landau-Parametern 1/ ≦ ϰ ≦ 1,8 (Supraleiter 2. Art) zeigen bei Hc 1 ein plotzliches Eindringen des magnetischen Flusses bis zu einer Anfangsinduktion B0. Dies entspricht dem in diesen Materialien beobachteten Gleichgewichtsabstand d0 der Fluslinien in der Shubnikov-Phase. Dieses Verhalten kann nur durch die Annahme einer bis jetzt noch unbekannten, weitreichenden, anziehenden Wechselwirkung zwischen den Fluslinien erklart werden. Die Untersuchungen der Temperatur- und ϰ-Abhangigkeit der Anfangsinduktion B0 erlauben Aussagen uber den Gultigkeitsbereich der Ginzburg-Landau-Theorie. Magnetization curves of homogeneous lead-thallium single crystals with Ginzburg-Landau parameters 1/ ≦ ϰ ≦ 1,8 (type II superconductors) show at Hc 1 a sudden penetration of the magnetic flux up to an initial induction B0. This corresponds to the equilibrium distance d0 in the Shubnikov phase, observed in this materials. This behaviour may be explained by the assumption of a hitherto unknown, long range, attractive interaction between flux lines. The investigations of the temperature- and ϰ-dependence of the initial induction B0 indicate a region of validity of the Ginzburg-Landau theory.

Classical theory of nonlinear oscillators interacting with a medium

Abstract: The correlation function Qx(t) of the normal coordinates of singled out nonlinear vibrations interacting with the vibrations of the continuous spectrum of a medium (e.g. of local or quasi-local vibrations in crystals) as well as its spectral representation Qx(ω) were investigated. The calculations have been carried out for the case of high temperatures when the classical approach is applicable. The use of asymptotic methods of nonlinear mechanics and some results of the theory of random processes allowed to consider the case of an arbitrary ratio between the constants characterizing the non-linearity of singled out oscillators and their energy of interaction with the medium (but with the assumption that both these constants are small). In this general case asymptotic explicit expressions were derived for Qx(t) and Qx(ω). Using the Fokker-Planck equation for this problem we have also derived the difference equations which determine Qx(ω). [Russian Text Ignore]

Micromagnetic Treatment of Néel Walls

Abstract: By means of the micromagnetic equations the wall shape of one-dimensional Neel walls is calculated. Starting point is the decomposition of the micromagnetic equation into two contributions, one of them describing the core of the wall, and the other the tail of the wall. The results agree very well with the published results of numerical computations. In particular the existence of a tail with logarithmic variation of the direction cosine of the magnetization as a function of the distance from the wall centre has been verified analytically. Mit Hilfe der mikromagnetischen Gleichungen wird der Magnetisierungsverlauf in der eindimensionalen Neelwand berechnet. Man geht davon aus, das sich die Neelwand in zwei Bereiche – Kern und Auslaufer – zerlegen last, in denen der Magnetisierungsverlauf durch unterschiedliche Terme der mikromagnetischen Gleichungen bestimmt wird. Die Ergebnisse dieser analytischen Berechnung stimmen mit den Ergebnissen numerischer Verfahren bis in die Einzelheiten uberein; insbesondere erhalt man auf analytischem Wege auch den logarithmischen Abfall im Auslauferbereich der Wand.

Conductivity and thermoelectric power of trigonal SexTe1−x single crystals

Abstract: Conductivity σ and thermoelectric power α of SeTe mixed crystals have been measured in the temperature range from 100 K up to the melting points. The activation energy of the intrinsic conductivity shows a relatively complicated dependence on alloy composition, which can be explained by a transition from the direct gap of Te to the indirect gap of Se at about 40% Se content. The extrinsic conductivity has an activation character in a large part of the system. Formally the activation energy ΔE has to be attributed to the mobility. It decreases continuously towards Te and vanishes at the high Te end. ΔE can be explained by a strongly inhomogeneous hole concentration as for trigonal Se. The density of states mass of holes has been estimated, which increases approximately linearly with Se content from 0.2 m0 for Te to about 1.4m0 for Se. Die Leitfahigkeit σ und die Thermokraft α von SeTe-Mischkristallen wurden im Temperaturbereich von 100 K bis zum jeweiligen Schmelzpunkt gemessen. Die Aktivierungs-energie der Eigenleitung zeigt eine relativ komplizierte Abhangigkeit vom Mischungsverhaltnis, die durch den Ubergang vom direkten Gap bei Te zum indirekten Gap bei Se bei etwa 40% Se-Gehalt erklart werden kann. In der Storleitung besitzt σ in einem grosen Teil des Systems einen Aktivierungscharakter. Er mus formal der Beweglichkeit zugeschrieben werden, kann aber wie bei Se durch eine stark inhomogene Locherkonzentration erklart werden. Die Aktivierungsenergie der Storleitung nimmt zum Te hin stetig ab und verschwindet bei hohem Te-Gehalt. Die Zustandsdichte-Masse der Locher wurde bestimmt, die ungefahr proportional mit dem Se-Gehalt von etwa 0,2 m0 bei Te auf etwa 1,4 m0 bei Se anwachst.

The Magnetic and Structural Properties of Bulk Amorphous and Crystalline Co‐P Alloys

Abstract: Bulk samples, of the order 0.2 mm thick, of cobalt-phosphorus alloys have been prepared by prolonged electroless deposition with phosphorus contents varying from 5 to 9 at%. Alloys with less than 8.8 at% were found to be crystalline with a single-phase h.c.p. structure, and those with 9 at% were amorphous. The saturation magnetization, magnetostriction, coercivity, and susceptibility of the crystalline alloys varied uniformly with phosphorus content. The amorphous alloys had significantly different magnetic properties from the crystalline ones of similar composition; in particular the susceptibility was nearly two orders of magnitude greater. This greater susceptibility was predominantly associated with the absence of magnetocrystalline anisotropy in the non-crystalline material. On annealing, the amorphous material first transformed to a single-phase h.c.p. structure similar to that of the crystalline alloys, and at a higher temperature to the equilibrium two-phase structure of a cobalt-rich h.c.p. phase and an orthorhombic Co2P phase. The susceptibility of the amorphous alloy fell by a factor of 15 times on annealing. This was attributed to the introduction of crystalline order and hence magneto-crystalline anisotropy. Massive Proben von Kobalt-Phosphorlegierungen mit einer Dicke von der Grosenordnung 0,2 mm wurden durch fortgesetzte elektrodenlose Auftragung hergestellt, wobei der Phosphorgehalt zwischen 5 und 9 % variierte. Es wurde gefunden, das Legierungen mit weniger als 8,8 at% in einer einzigen kristallinen Phase mit h.d.p.-Struktur kristallisieren und die mit 9 at % amorph sind. Die Sattigungsmagnetisierung, Magnetostriktion, Koerzitivkraft und Suszeptibilitat der kristallinen Legierungen andern sich gleichmasig mit dem Phosphorgehalt. Die amorphen Legierungen zeigten betrachtlich unter-schiedliche magnetische Eigenschaften gegenuber kristallinen Legierungen ahnlicher Zusammensetzung; insbesondere war die Suszeptibilitat um nahezu zwei Grosenordnungen groser. Diese grosere Suszeptibilitat war vorwiegend mit dem Fehlen magnetokristalliner Anisotropie im nichtkristallinen Material verbunden. Bei einer Temperung ging das amorphe Material zuerst in eine einphasige h.d.p.-Struktur uber, die der der kristallinen Legierung ahnlich ist, und bei einer hoheren Temperatur in die Gleichgewichts-Zwei-Phasen-Struktur, eine Kobalt angereicherte h.d.p.-Phase und eine orthorhombische Co2P-Phase. Die Suszeptibilitat der amorphen Legierung ging um den Faktor funfzehn nach der Temperung zuruck. Dies wurde der Einfuhrung einer kristallinen Ordnung und damit einer magneto-kristallinen Anisotropie zugeschrieben.

Electronic structure and optical properties of amorphous germanium and silicon

Abstract: The complex band structures, the imaginary parts of the dielectric constant, and the densities of states of electrons in amorphous Ge and Si are calculated using a generalized pseudopotential formalism based on the Green's function techniques. The short range order is assumed to be the same as in the cubic crystalline systems. The long-range order is relaxed by using a two particle correlation function, consisting of Gaussian functions centered at the lattice points. The half widths of the Gaussian functions increases with increasing lengths of the lattice vectors. It turns out, that the band edges near axis Γ-L are less influenced by disorder than for other k-points in the Brillouin zone. This is confirmed by comparing the calculated imaginary part of the dielectric constant with the experimental one. Die komplexe Bandstruktur, der Imaginarteil der Dielektrizitatskonstanten und die Zustandsdichte von Elektronen in amorphen Ge und Si werden unter Verwendung eines verallgemeinerten Pseudopotential-Formalismus berechnet, ausgehend von der Methode der Green'schen Funktionen. Es wird vorausgesetzt, das die Nahordnung die gleiche ist wie im Kristallfall. Die Fernordnung wird zerstort durch die Verwendung einer Zweiteilchen-Korrelationsfunktion, die sich aus Gausfunktionen zusammensetzt. Die Gaus-funktionen sind um die Gitterpunkte zentriert, ihre Halbwertsbreite nimmt mit zunehmendem Abstand vom Nullpunkt zu. Es stellt sich heraus, das die Bandkanten in der Nahe der Achse Γ-L weniger von der Unordnung beeinflust werden als fur andere k-Punkte in der Brillouin-Zone. Dies wird durch den Vergleich der berechneten und der experimentellen ϵ2-Kurven bestatigt.

Optical properties of transition metal impurities in CdSe. I. Crystal‐field spectra

Abstract: The absorption spectra of Ti (d2), V (d3), Cr (d4), Fe (d6), Co (d7), Ni (d8), and Cu (d9) in CdSe crystals are presented. The main features of the spectra are successfully interpreted using crystal-field theory for the states of 3dn configuration in a potential of predominantly Td symmetry. It is found that the oscillator strengths of the observed absorption bands are in the range 10−2to 10−5 due to transitions within the 3dn shell. The crystal-field parameters, Δ, and the Racah parameters, B and C, are determined where possible, and discussed. Die Absorptionsspektren von Ti (d2), V (d3), Cr (d4), Fe (d6), Co (d7), Ni (d8) und Cu (d9) in CdSe-Kristallen werden mitgeteilt. Die Hauptcharakteristiken der Spektren lassen sich erfolgreich mittels Kristallfeldtheorie fur Zustande der 3dn-Konfiguration, auf die ein Potential mit uberwiegender Td-Symmetrie wirkt, interpretieren. Es wird gefunden, das die Oszillatorstarken der beobachteten Absorptionsbanden fur ubergange innerhalb der 3dn-Schale im Bereich von 10−2 bis 10−5 liegen. Die Kristallfeldparameter Δ und die Racah-Parameter B und C werden, soweit moglich, bestimmt und diskutiert.