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A Modified Local Density Approximation. Electron Density in Inversion Layers

Abstract: In the local density approximation (LDA) the density of a many-electron system is expressed as a function of the spatially varying potential. Here a modified LDA is derived applicable for a potential with a high step at some plane which is e.g. a model for the band edges in an inversion layer at the semiconductor—insulator interface. The local density of states shows oscillations and decreases to zero at the interface as a consequence of quantum mechanical reflection. Simple expressions for the density are obtained for the strongly degenerate and for the non-degenerate system. The comparison with exact results for a model system (triangular potential) shows that the modified LDA yields good results for a wide range of parameters corresponding to real inversion layers.

Shallow Acceptors in Cadmium Telluride

Abstract: The photoluminescence spectroscopy of undoped CdTe crystals provides information on two acceptors which are the main contaminants of as-grown crystals. These acceptors called y and z have their respective ionization energies at 147 and 108 meV. A complete series of two hole replicas is observed for y and only one for z. These acceptors are believed to be due to Cu and Ag impurities. Backdoping experiments with Li and Na give rise to new transitions. From the conduction band–acceptor level transitions, the ionization energies are respectively obtained to 57.8 and 58.8 meV. In the case of Li, some extra-lines are tentatively identified as phonon interacting two-hole transitions. La spectroscopie de la photoluminescence de CdTe non dope fournit des informations sur deux accepteurs qui sont des contaminants du materiau brut de croissance. Ces accepteurs, appeles y et z ont leurs energies d'ionisation respectivement a 147 et 108 meV. Une serie complete de repliques a deux trous a ete observee pour y et seulement une replique pour z. Ces accepteurs sont probablement dus aux impuretes Cu et Ag. Des experiences de dopage avec Li et Na donnent naissance a de nouvelles transitions. A partir des recombinaisons bande de conduction–niveau accepteur, les energies d'ionisation ont ete respectivement obtenues a 57,8 et 58,8 meV. Dans le cas du Li, des raies supplementaires sont attribuees a une transition a deux trous, perturbee par une interaction avec des phonons.

Localized Excitons in CdS1−xSex Solid Solutions

Abstract: The emission spectra of CdS1–xSex solid solutions (x ≦ 0.3) at helium temperatures are studied under monochromatic excitation in different regions of the absorption spectrum. In all samples very intense luminescence due to excitons localized by composition fluctuations is observed. High intensity of luminescence and complete absence of free exciton emission indicate a high probability of exciton localization. A model for exciton localization is proposed. It is assumed that only the hole component of the exciton is localized by the potential fluctuations. The electron is bound to this hole by Coulomb attraction. The energy migration between the localized states is discussed. Three different regions can be distinguished in the excitation spectrum of localized excitons. The first region corresponds to the excitation of free excitons which are trapped to localization sites in the process of energy migration. There is no energy migration in the third spectral region and all the emission is caused by directly photo-excited states. In the intermediate region II a limited energy transfer between the localized states takes place via phonon assisted tunneling. Die Emissionsspektren von CdS1–xSex-Mischkristallen (x ≦ 0,3) werden bei Heliumtemperaturen unter monochromatischer Anregung in verschiedenen Bereichen des Absorptionsspektrums unter- sucht. In allen Proben wird sehr intensive Lumineszenz von Exzitonen beobachtet, die an Zusam- mensetzungsfluktuationen lokalisiert sind. Die hohe Intensitat der Lumineszenz und das vollstandige Fehlen der Emission freier Exzitonen weist auf eine hohe Wahrscheinlichkeit von Exzitonlokalisierung hin. Ein Modell fur die Exzitonlokalisierung wird vorgeschlagen. Es wird angenommen, ds nur der Lochanteil des Exzitons durch die Potentialfluktuationen lokalisiert ist. Das Elektron ist an diesem Loch durch Coulombanziehung gebunden. Die Energieubertragung zwischen den lokalisierten Zustanden wird diskutiert. Drei unterschiedliche Bereiche lassen sich im Anregungsspektrum der lokalisierten Exzitonen unterscheiden. Der erste Bereich entspricht der Anregung freier Exzitonen, die an Lokalisierungsplatzen wahrend der Energieubertragung getrapt werden. Im dritten Spektralbereich existiert keine Energieubertragung und die gesamte Emission wird durch direkt photo-angeregte Zustande verursacht. Im Zwischenbereich II findet ein begrenzter Energieubergang zwischen den lokalisierten Zustanden uber phononassistierte Tunnelung statt.

Investigations of the Photovoltaic Tensor in Doped LiNbO3

Abstract: The photovoltaic current density in crystals without a center of symmetry depends bilinearly on the components of the light polarization vector via a third-rank tensor. For LiNbO3:Fe and LiNbO3: Cu the tensor properties are confirmed and three of the four non-vanishing components determined. The dependence on impurity concentration and on photon energy is also investigated. Die photovoltaische Stromdichte in Kristallen ohne Inversionszentrum hangt uber einen Tensor dritter Stufe bilinear von den Komponenten des Polarisationsvektors des Lichtes ab. Das Tensorverhalten fur LiNbO3: Fe und LiNbO3: Cu wird bestatigt und drei der vier nichtverschwindenden Komponenten werden bestimmt. Die Abhangigkeit von der Storstellenkonzentration und der Photonenenergie wird ebenfalls untersucht.

Magnetic After-Effects in Single- and Poly-Crystalline Magnetite

Abstract: The magnetic relaxation spectra of different types of single crystalline magnetite are investigated in the temperature range 4 K < T < 450 K and compared with corresponding spectra obtained on stoichiometric (Fe3O4) and vacancy-doped polycrystals (Fe3−ΔO4). Three basic relaxation mechanisms are revealed within the following temperature ranges 4 K < TI < 35 K, 40 K < < TII < 130 K and 200 K < TIII < 450 K, which may be associated to either electronic (TI, TII) or ionic (TIII) hopping processes. In crystals with systematically reduced stoichiometry characteristic modifications in the structure of these spectra are observed from which additional information for a theoretical understanding may be obtained. Im Temperaturbereich 4 K < T < 450 K werden die Relaxationsspektren in unterschiedlich hergestellten Megnetit-Einkristallen untersucht und mit den entsprechenden Spektren verglichen, die in polykristallinem stochiometrischem (Fe3O4) und Leerstellen-dotiertem Material (Fe3−ΔO4) auftreten. In den folgenden Temperaturbereichen werden drei verschiedene Relaxationsmechanismen beobachtet: 4 K < TI < 35 K, 40 K < TII < 130 K und 200 K < TIII < 450 K, die entweder elektronischen (TI, TII) oder ionischen (TIII) Sprungprozessen zugeordnet werden konnen. Mit systematisch verringerter Stochiometrie der Kristalle andert sich die Struktur der Nachwirkungsspektren in charakteristischer Weise, wodurch weitere Ruckschlusse auf die zugrundeliegenden Relaxationsmechanismen ermoglicht werden.

Comments on the Pressure Variation of the Gibbs Energy for Bound and Unbound Defects

Abstract: The pressure derivative v of the Gibbs energy g for “unbound” and “bound” defects (i.e. vacancies or interstitials attracted by aliovalent impurities) is studied. It is shown that for the formation and migration of defects the ratio v/g depends solely on well-known macroscopic properties; applications are presented for self-diffusion in f.c.c. and b.c.c. metals and for ionic conductivity of silver halides. In the case of ionic solids containing “bound” defects, a gradual variation of pressure results in the appearance of a transient polarization or depolarization current that maximizes at a certain pressure Pcr. The way of analysing this piezo-stimulated current (PSC) spectrum is discussed. The fact that the value of Pcr does not have to coincide with the pressure at which fracture occurs provides a useful tool for applying PSC to geophysics. Die Druckableitung v der Gibbsschen Energie g fur „ungebundene” und „gebundene” Defekte (d. h. Vakanzen oder Zwischengitterstorstellen, die durch aliovalente Storstellen angezogen werden) wird untersucht. Es wird gezeigt, das fur die Bildung und Wanderung der Defekte das Verhaltnis v/g allein von gut bekannten makroskopischen Eigenschaften abhangt, Anwendungen werden fur die Selbstdiffusion in k.f.z.- und k.r.z.-Metallen und fur die Ionenleitung in Silberhalogeniden angegeben. Fur den Fall von Ionenfestkorpern, die „gebundene” Defekte enthalten, fuhrt eine graduelle Anderung des Druckes zum Auftreten eines nichtstationaren Polarisations- oder Depolarisationsstromes, der ein Maximum bei einem kritischen Druck Pcr annimmt. Die Moglichkeit einer Analyse dieses piezostimulierten Strom(PSC)-Spektrums wird diskutiert. Die Tatsache, das der Wert von Pcr nich mit dem Druck ubereinstimmen mus, bei dem der Bruch auftritt, liefert eine nutzliche Methode fur die Anwendung des PSC in der Geophysik.

Infrared optical properties of cerium dioxide

Abstract: The infrared spectra of bulk and thin-film CeO2 are measured at various conditions by reflection, transmission, and thermal-emission methods The reststrahlen reflectivity spectra of bulk CeO2 are analyzed by means of a two-oscillator dispersion model, and the dielectric properties and the lattice vibrational properties of CeO2 are discussed The virtual mode (polariton) spectra of the thin-film CeO2 are analyzed by means of the virtual mode theory of the anharmonic ionic crystal slab Die Infrarotspektren von massivem und Dunnfilm-CeO2 werden unter verschiedenen Bedingungen mittels Transmission, Reflexion und Thermoemission gemessen Die Reststrahlen-Spektren von massivem CeO2 werden mit einem Dispersionsmodell zweier Oszillatoren analysiert, und die dielektrischen Eigenschaften und die Gitterschwingungen von CeO2 werden diskutiert Die Virtuell-Moden (Polariton)-Spektren von Dunnfilm-CeO2 werden mit einer Theorie der Virtuell-Mode anharmonischer Ionenkristallplatten analysiert

An Interatomic Pair Potential for Aluminium Calculation of Stacking Fault Energy

Abstract: A potential function for aluminium is derived from phonon dispersion curves. The contribution from short-range multi-ion interactions is substracted from the phonon data, and this affects markedly the short-range characteristics of the potential. The potential function is used for the calculation of the energies of intrinsic and extrinsic stacking faults. Certain multi-ion contributions to these energies are also evaluated. The calculation cannot explain the experimentally observed difference between γintr and γextr, which is attributed here to the interpretation of loop annealing observations in such faults. A re-interpretation gives approximately 120 mJ/m2 for γintr and γextr. Es wird eine Potentialfunktion fur Aluminium angegeben, die aus den Phononendispersionskurven abgeleitet wird. Der Beitrag der kurzreichweitigen, nichtzentralen Wechselwirkungen dritter und hoherer Ordnung wird von den Phononendaten abgezogen. Er hat einen starken Einflus auf das Potential in naher Entfernung. Die Potentialfunktion wird zur Berechnung der Energien des intrinsischen und extrinsischen Stapelfehlers verwendet. Ebenso werden wichtige Wechselwirkungen der Drei-Atom-Konfigurationen bestimmt. Die Berechnung kann jedoch keine Erklarung fur die experimentell beobachtete Differenz zwischen γintr und γextr geben. Diese Differenz wird der Interpretation von Schleifenausheilbeobachtungen von Stapelfehlern zugeschrieben. Eine Neuinterpretation ergibt ungefahr 120 mJ/m2 fur γintr und γextr.

Theoretical Treatment of the Diffusion Coupled with Reaction, Applied to the Example of a Binary Solid Compound MX

Abstract: It is shown, that the coupling of diffusion processes with reactions can be treated as a formal ambipolar diffusion of ensembles of particles, which are conserved in the reaction scheme. In this way an extension of the flow equations to a complex defect chemistry becomes possible, as exemplified by the ionization processes of the ionic point defects in a binary solid MX. In a first approximation Fick's laws with generalized diffusion coefficients are obtained. The boundary conditions are formulated for several important cases by considering the equations of balance of the conservative ensembles. It is further shown, how the new evaluation of the usual electrochemical measurements of transport quantities (e.m.f., polarization and permeation) has to be performed. Additional terms, caused by the ionization processes, appear in all evaluation formula. Es wird gezeigt, das die Diffusion bei gleichzeitiger chemischer Reaktion als eine formale ambipolare Diffusion von Teilchenensembles, die im Reaktionsschema erhalten bleibt, behandelt werden kann. Damit lassen sich die Flusgleichungen fur komplexe Falle der Defektchemie aufstellen, was beispielhaft fur die Ionisationsprozesse der ionischen Punktdefekte eines binaren Ionenkristalls MX vorgenommen wird. In erster Naherung ergeben sich die Fickschen Gesetze in normaler Form, aber mit einem verallgemeinerten Diffusionskoeffizienten. Mit den Bilanzgleichungen der konservativen Ensembles gestaltet sich, wie an einigen wichtigen Fallen demonstriert wird, die Formulierung der Randbedingungen sehr einfach. Ferner wird gezeigt, wie die ublichen elektrochemischen Transportmessungen (Zellspannung, Polarisation und Permeation) auszuwerten sind und das in allen Auswerteformeln durch die Ionisationsprozesse bedingte Zusatzterme erscheinen.

On Charge Carrier Photogeneration Mechanisms in Organic Molecular Crystals

Abstract: An extended phenomenological model of photogeneration mechanisms in organic molecular crystals is proposed which describes intermediate and final stages of multi-step photogeneration processes in terms of a modified Onsager approach. It is shown that the intermediate geminate charge pair (CP) states can be populated through two independent competitive pathways: viz. via autoionization and subsequent hot electron thermalization in terms of a ballistic model and via optical charge transfer (CT) transitions. The thermalization processes and their dependence on photon energy, temperature, and electric field are studied in some detail. It is demonstrated that the threshold spectral dependence of intrinsic photoconductivity quantum efficiency β(hv) in anthracene-type crystals is mainly determined by the spectral dependence of dissociation efficiency Ω(hv) of the intermediate CP-states and can be approximated by Onsager's formula. [Russian Text Ignored]

Absolute Hydrostatic Deformation Potentials of Tetrahedral Semiconductors

Abstract: The “absolute” hydrostatic deformation potentials of several band states of germanium and silicon are calculated with the LMTO-ASA method. It is found that for the top valence band state dE/ d In V ≈ −8 eV. The results are compared with experimental data available. They agree with calculations based on empirical pseudopotentials provided one assumes dV0/d In V ≈ 0, where V0 is the spatially averaged pseudopotential. In order to obtain agreement with empirical tight binding results one must introduce a volume dependence of the term energies. Using the calculated deformation potentials, the dependence of the lattice constant on doping measured for n- and p-type germanium, silicon, and GaAs is discussed. Mit der LMTO-ASA-Methode werden die „absoluten” hydrostatischen Deformationspotentiale einiger Bandzustande von Germanium und Silizium berechnet. Es wird gefunden, das fur den oberen Valenzbandzustand dE/d In V ≈ −8 eV ist. Die Ergebnisse werden mit vorhandenen experimentellen Werten verglichen. Sie stimmen mit Berechnungen auf der Grundlage empirischer Pseudopotentiale uberein, vorausgesetzt, man nimmt dV0/d In V ≈ 0 an, wobei V0 das raumlich gemittelte Pseudopotential ist. Um Ubereinstimmung mit empirischen tight-binding-Ergebnissen zu erhalten, mus eine Volumenabhangigkeit der Termenergien eingefuhrt werden. Die Abhangigkeit der Gitterkonstante von der Dotierung, die fur n- und p-leitendes Germanium, Silizium und GaAs gemessen wurde, wird ebenfalls diskutiert, wobei die berechneten Deformationspotentiale benutzt werden.

Non-Condon Approximations and the Static Approach in the Theory of Non-Radiative Multiphonon Transitions

Abstract: The off-diagonal matrix element of the non-adiabaticity operator, on which usually the theory of non-radiative multiphonon transitions is based, is recast into a form much more convenient for the calculation of the transition probability W in non-Condon approximation. This is demonstrated first for a two-level system coupled to a single vibrational mode and then extended to the more general case of a complete set of non-degenerate electronic states coupled linearly to N normal modes. The strong anharmonicity of the adiabatic potentials due to the mixture of states caused by the electron–phonon interaction operator is stressed, which limits the applicability of the theory to situations where only transitions well below “level crossing” are important, and, consequently, imposes serious restrictions on the parameters of the system and the temperature. Keeping to these restraints and to two electronic levels, the transformed matrix element of the non-adiabaticity operator is identical with that of the perturbation operator used in the static coupling scheme of Haug and Passler, which turns out in this way to be equivalent to a closed-form of non-Condon approximation based on a well defined set of adiabatic wave functions. Explicit expressions for W are also given, and some aspects of the theory in general are discussed. Das nichtadiabatische Matrixelement des Operators, von dem ublicherweise die Theorie der strahlungslosen Multiphononubergange ausgeht, wird in eine Form uberfuhrt, die den Aufwand fur die Berechnung der Ubergangswahrscheinlichkeit W in Nicht-Condon-Naherung wesentlich reduziert. Dies wird zunachst fur ein Zwei-Niveau-System gezeigt, das an nur eine Schwingungs-mode gekoppelt ist, und dann fur den allgemeinen Fall eines vollstandigen Systems von (nicht-entarteten) Elektronenzustanden bei linearer Kopplung an N Normalmoden erweitert. Die ausgepragte Anharmonizitat der adiabatischen Potentiale infolge der Mischung der Zustande durch den Elektron–Phonon-Wechselwirkungsoperator schrankt die Anwendbarkeit der Theorie auf Situationen ein, in denen nur Ubergange unterhalb der respektiven „Niveauuberschneidungen” von Bedeutung sind, was wiederum Einschrankungen fur die Systemparameter und vor allem die Temperatur zur Folge hat. Bei Einhalten dieser Bedingungen und Beschrankung auf zwei Niveaus ist das transformierte Matrixelement des nichtadiabatischen Operators identisch mit dem des Wechselwirkungsoperators des „statischen Kopplungsschemas” nach Haug und Passler, das sich somit als aquivalent einer geschlossenen Nicht-Condon-Naherung erweist. Es werden Ausdrucke fur W angegeben und einige Aspekte der Theorie der strahlungslosen Ubergange im allgemeinen diskutiert.

On the Existence of a Phase Transition for the Fröhlich Polaron

Abstract: The ground state energy and its first and second derivative with respect to the electron-phonon coupling are calculated for the polaron theories of Feynman, Lepine and Matz, Manka, Pekar, and the Gaussian approximation. It is suggested that the phase transition, from the mobile to the localized polaron state, found by some authors is a feature of their approximation rather than an intrinsic property of the Frohlich Hamiltonian. Fur die Polaronentheorien von Feynman, Lepine und Matz, Manka, Pekar und die Gaus-Naherung werden die Energie des Grundzustands und seiner ersten und zweiten Ableitung bezuglich der Elcktronen-Phononen-Kopplung berechnet. Es wird angenommen, das der Phasenubergang vom mobilen zum lokalisierten Polaronenzustand, der von einigen Autoren gefunden wird, eher eine Folge ihrer Naherungen ist, als eine innere Eigenschaft des Frohlichschen Hamiltonians.

Far‐Infrared Reflection Spectra, Optical and Dielectric Constants, Effective Charges, and Lattice Dynamics of the Skutterudites CoP3, CoAs3, and CoSb3

Abstract: From the far-infrared reflection spectra of the skutterudite type compounds CoP3, CoAs3, and CoSb3 the TO and LO phonon frequencies at wave vector |q| ≈ 0 are determined by both Kramers-Kronig analysis and classical oscillator fit method. In the case of CoP3 large free carrier contributions (plasma resonance frequency ω′p ⩽ Ω+ ≈ 800 cm−1) with strong plasmon–phonon interactions are observed. Attempts to calculate the decoupled phonon frequencies of CoP3 using a three and a four parameter model of the dielectric function failed. Lattice dynamical calculations are done by setting up a valence force field consisting of M–X, two X–X and X4–X4, and M–M stretching constants. The obtained force constants, e.g. f(CoSb): 85, f(SbSb): 87 and 59 N m−1, respectively, and also the calculated effective dynamical charges (from TO/LO splittings) show the mainly covalent character of the skutterudites under consideration. The lattice modes of CoSb3 are found to be both mainly internal vibrations of the planary Sb4-units, v4 and v5, at 174 and 144 cm−1, respectively, and external ones, v1–v3 and v6–v7, at higher and lower wavenumbers than v4 and v5. Die TO- und LO-Gitterschwingungen (|q| ≈ 0) der Skutterudite CoP3, CoAs3 und CoSb3 werden aus den FIR-Reflexionsspektren mittels Kramers-Kronig-Analysen und Oszillator-Fit-Rechnungen bestimmt. Die Spektren des CoP3 zeigen wegen der hohen Konzentration freier Ladungstrager (Plasmaresonanzfrequenz ω′p ⩽ Ω+ ≈ 800 cm−1) eine starke Plasmonen–Phononen-Kopplung. Versuche, mit Hilfe eines Drei- oder Vierparametermodells der dielektrischen Funktion die Frequenzen der ungekoppelten Gitterschwingungen des CoP3 zu bestimmen, schlugen fehl. Unter Verwendung eines Nahbereichskraftfeldes mit einer M–X-, je zwei X–X- und X4–X4- sowie einer M–M-Kraftkonstanten werden gitterdynamische Rechnungen vorgenommen. Die erhaltenen Kraftkonstanten, z. B. f(CoSb): 85, f(SbSb): 87 und 59 N m−1, und die aus der TO/LO-Aufspaltung der Gitterschwingungen ermittelten effektiven dynamischen Ladungen lassen den weitgehend kovalenten Charakter dieser Verbindungsklasse erkennen. Die Gitterschwingungen des CoSb3 sind z. T. innere Schwingungen der Sb4-Ringe, v4 und v5 bei 174 und 144 cm−1, und externe Schwingungen v1–v3 und v6 und v7 bei hoheren und niedrigeren Wellenzahlen als v4 und v5.

Crystal Structure and Raman Spectra of InSe

Abstract: A polytype of InSe single crystals is determined to be of γ-type by means of X-ray Laue and diffractometer measurements. Polarized Raman scattering studies are carried out at room temperature and the spectra are analysed by using the normal modes of γ-InSe. Two Raman lines of the A1 mode (118, 228 cm−1) and two of the E mode (43, 180 cm−1) are observed. An additional Raman line at 214 cm−1 is attributed to an LO phonon with E symmetry. Ein Polytyp der InSe-Einkristalle wird als γ-Typ durch die Rontgenuntersuchung mit der Laue-Kamera und dem Diffraktometer bestimmt. Polarisierte Raman-Messungen werden bei Zimmertemperatur durchgefuhrt und die Raman-Spektren mit dem Schwingungstyp des γ-InSe analysiert. Zwei Ramanlinien der A1-Mode (118, 228 cm−1) und zwei der E-Mode (43, 180 cm−1) werden beobachtet. Eine zusatzliche Ramanlinie bei 214 cm−1 wird auf ein LO-Phonon mit E-Symmetrie zuruckgefuhrt.

Optically Induced Potential Fluctuations in a-Si:H Films

Abstract: The influence is studied of prolonged optical exposure on the properties of the current path in glow discharge deposited a-Si:H films. Information on these properties is obtained from concomitant investigations of the conductivity σ and thermoelectric power S as a function of temperature. It is found that the activation energies of both quantities, Eσ and ES, increase appreciably upon light exposure. At the same time the difference Eσ — ES = EQ rises from ≈ 0.09 to 0.21 eV. The quantity EQ, which is an apparent mobility activation energy, is associated with spatial fluctuations of the mobility edge. The increase of EQ is attributed to the enhancement of potential fluctuations which is caused by inhomogeneously distributed charged centers generated during optical exposure. Der Einflus intensiver Belichtung auf die Eigenschaften des Strompfades in a-Si:H-Filmen wird untersucht. Aus der Temperaturabhangigkeit von Leitfahigkeit σ und Thermokraft S ergibt sich, das die Aktivierungsenergie beider Grosen, Eσ und ES, durch die Belichtung erheblich ansteigt. Dabei wachst die Differenz EQ = Eσ — ES von 0,09 auf 0,21 eV an. Die Grose EQ, die formal einer Aktivierungsenergie der Beweglichkeit zugeschrieben werden kann, hangt mit raumlichen Fluktuationen der Beweglichkeitskante zusammen. Die Zunahme von EQ wird daher durch eine Zunahme von Potentialfluktuationen erklart. Ursache dafur ist die Erzeugung von inhomogen verteilten geladenen Zustanden wahrend der Belichtung.

Elastic Field and Self-Force of Dislocations Emerging at the Free Surfaces of an Anisotropic Halfspace

Abstract: The problem of dislocations emerging at free surfaces is considered. This complicated threedimensional elastic problem can be reduced to a superposition of two-dimensional fields of infinite straight dislocations which are well defined. A plane fan-shaped distribution of infinite straight dislocations is introduced which replaces the condition of a free surface. This allows one to construct the whole elastic field of inclined dislocations in the anisotropic halfspace. As an example of the suggested method the formula for the self-force acting on dislocations emerging at a free surface is obtained. The connection of self-moments acting on dislocations with the orientational dependence of the dislocation energy is discussed. Es wird das Problem der an freien Oberflachen austretenden Versetzungen untersucht. Dieses komplizierte dreidimensionale elastische Problem last sich auf eine Uberlagerung von zweidimensionalen Feldern unendlicher grader Versetzungen, die gut definiert sind, reduzieren. Eine ebene wannenformige Versetzung wird eingefuhrt, die die Bedingung einer freien Flache ersetzt. Dies erlaubt, das gesamte elastische Feld geneigter Versetzungen im anisotropen Halbraum zu konstruieren. Als Beispiel fur die vorgeschlagene Methode wird die Formel fur die Selbstkraft erhalten, die auf aus einer freien Flache austretende Versetzungen wirkt. Die Verknupfung von Selbstmomenten, die auf Versetzungen mit Orientierungsabhangigkeit der Versetzungsenergie wirken, wird diskutiert.

A Double Chain Approximation to the Ising Model

Abstract: To calculate thermodynamic properties of the anisotropic Ising model, a double chain approximation (DCA), based on Bogolyubov's variational procedure, is presented. The critical temperatures are compared to those obtained by the usual mean field approximation (MFA), the linear chain approximation (LCA), and the exact or series results, when existing. A fitting of the spontaneous polarization and the dielectric constant data for the quasi-one-dimensional ferroelectric crystal PMDP (PbDPO4) is also made. Zur Berechnung der thermodynamischen Eigenschaften eines anisotropen Ising-Modells wird eine auf dem Bogolyubov- Variationsverfahren beruhende Doppelkettennaherung (DCA) angegeben. Die kritischen Temperaturen werden mit denen verglichen, die mit der ublichen Naherung des mittleren Feldes (MFA) und der linearen Kettennaherung (LCA) erhalten werden und wo vorhanden, mit den exakten oder Serienergebnissen. Eine Anpassung der spontanen Polarisierung und der Dielektrizitatskonstante fur den quasi-eindimensionalen ferroelektrischen Kristall PMDP (PbDPO4) wird ebenfalls durchgefuhrt.

Experiment investigation on the complex dielectric function of CdS in the exciton and in the plasma limit

Abstract: The real and imaginary parts of the complex dielectric function of CdS are experimentally investigated for low temperatures and for various excitation conditions Strong changes of the dielectric function are observed at high excitation in the spectral region below the band edge Emphasis is put on the variations of the real part at the transition from a low density exciton phase to a high density plasma phase It is shown, that the Kramers-Kronig relations are also valid for highly excited semiconductors The experimental results are compared with recent theoretical predictions

Polariton Theory in Electron—Hole Configuration Space. Bulk Solution for a Wannier-Type Model

Abstract: A pair of coupled wave equations for electromagnetic radiation and electron-hole pairs in the Wannier limit is solved for the case of an unbounded crystal. The solution is discussed with respect to the following phenomena: (i) excitonic resonances, (ii) Coulomb enhancement of continuum, (iii) local current structure, (iv) spatial dispersion. Das Polariton-System aus Licht und Elektron-Loch-Paaren im Wannier-Grenzfall wird durch ein Paar gekoppelter Wellengleichungen beschrieben. Die Losung dieser Gleichungen, die einem raumlich unbegrenzten Kristall entspricht, wird angegeben und bezuglich folgender Eigenschaften diskutiert: (i) exzitonische Resonanzen, (ii) Coulomb-Verstarkung der Kontinuumsschwelle, (iii) lokale Stromstruktur, (iv) raumliche Dispersion.

Electron–Molecular Vibration Coupling in Trimerized Organic Ion‐Radical Semiconductors

Abstract: The totally-symmetric (ag) internal molecular vibrational excitations in a trimer are considered. The mode corresponding to the charge transfer (CT) between non-centric molecules is shown to be responsible for the indirect IR activity. The trimer MO calculations in the site occupation representation are simplified and the symmetry of the basis states is taken into account. Eigenstates and eigenvalues of the molecular trimer with two radical electrons are calculated as a function of the transfer integral, t, and the Coulomb „on-site” repulsion, U. The following interpretation of the absorption spectrum of the cesium salt of tetracyanoquinodimethane Cs2(TCNQ)3 is given: the 1.4 eV peak is attributed to intratrimer charge transfer excitation, the less than 0.6 eV peak corresponds to the electronic transition between neighbouring trimers. The electron–molecular vibration coupling constants and Hubbard parameters U and t are evaluated for Cs2(TCNQ)3. [Russian Text Ignored]

A Cooperative Mechanism Limiting the Spectral Width of Stress Relaxation Processes in Solids

Abstract: A recently developed two-level cooperative model of stress relaxation in solids is shown to describe correctly the experimental finding F/σ ≈ 0.1, with F denoting the maximum slope of the relaxation curves in a σ (stress)–ln t (time) diagram, and σ the initial effective stress. The basic idea underlying the model is the notion of multiple transitions between the two levels, such transitions being induced by spontaneous events by a similar mechanism as in B-E statistics. The spectrum of relaxation times, τ, is determined by the size distribution of the clusters, the τ values being inversely proportional to the cluster size. A subdivision of the relaxing system into smaller cooperating regions is one of the consequences of the constancy of the ratio F/σ. Es wird gezeigt, das ein kurzlich entwickeltes kooperatives Zwei-Niveau-Modell der Spannungsrelaxation in Festkorpern das experimentelle Ergebnis F/σ ≈ 0,1 korrekt beschreibt, wobei F der maximale Anstieg der Relaxationskurven in einem σ (Spannungs)–ln t(Zeit)-Diagramm und σ die effektive Anfangsspannung sind. Die dem Modell zugrunde liegende Idee ist das Auftreten von Mehrfach-Ubergangen zwischen den beiden Niveaus, wobei die Ubergange durch spontane Ereignisse eines ahnlichen Mechanismus wie in der B-E-Statistik induziert werden. Das Spektrum der Relaxationszeiten, τ, wird durch die Grosenverteilung der Cluster bestimmt, dabei sind die τ-Werte invers proportional zur Clustergrose. Eine Unterteilung des relaxierenden Systems in kleinere kooperierende Bereiche ist eine der Konsequenzen der Konstanz des Verhaltnisses F/σ.

Form Effects in the Description of the Orientation Distribution Function (ODF) of Texturized Materials by Model Components

Abstract: Describing the ODF of texturized materials by model components quantitative statements about the intensities of the several components can be made. However, depending of the form of the model components and of the chosen χ2-function drastic deviations from the true intensities can appear, which are connected with the metric of the G-space. Lorentz-like standard functions are described and existing fit-strategies are analysed. Wird die OVF texturierter Materialien durch Modellkomponenten dargestellt, konnen quantitative Aussagen uber die Intensitaten der verschiedenen Komponenten getroffen werden. In Abhangigkeit von der Form der Modellkomponenten und der gewahlten χ2-Funktion konnen jedoch drastische Abweichungen von den echten Intensitaten auftreten, die mit der Metrik des G-Raums in Verbindung stehen. Lorentz-formige Standardfunktionen werden beschrieben sowie die existierenden Fitstrategien analysiert.