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Showing papers in "Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics in 1986"


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TL;DR: In this article, it is shown that in a medium representing an example of "Koch's tree" type fractional structure the diffusion process is described by a generalized transfer equation in partial derivations.
Abstract: It is shown that in a medium representing an example of “Koch's tree”-type fractional structure the diffusion process is described by a generalized transfer equation in partial derivations. Such a structure can serve as a model of a porous medium where the diffusion process takes place. The geometry of an inhomogeneous medium can serve as the dicisive factor in the explanation of the “universal response” phenomenon. A range of frequencies is found where such “superslow” diffusion process can be observed. [Russian Text Ignored].

660 citations


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TL;DR: In this article, a new variant of the iteration method for the determination of the orientation distribution function (OVF) in arbitrarily defined size of cells in the orientation space, is suggested, in which the centro-symmetrical equivalency of the pole figures is induced by the elements of proper rotations in crystal symmetry.
Abstract: Practical problems of the reproduction of the orientation distribution function (ODF) from pole figures (PFs) using discrete methods (with special attention paid to Imhof's method,) are analysed A new variant of the iteration method for the determination of the ODF in arbitrarily defined size of cells in the orientation space, is suggested The special case, in which the centro-symmetrical equivalency of the PFs is induced by the elements of proper rotations in crystal symmetry, is considered Es werden praktische Probleme der Reproduktion der Orientierungsverteilungsfunktion (OVF) aus Polfiguren (PFn) bei Anwendung diskreter Methoden (bei besonderer Beachtung der Imhof Methode) analysiert Eine neue Variante des Iterationsverfahrens fur die Bestimmung des OVF mit einer Wahlfreiheit der Zellengrose im Orientierungsraum wird vorgeschlagen Es wird ein Spezialfall betrachtet, in dem Elemente der eigentlichen Drehungen in der Kristallsymmetrie eine zentrosymmetrische Gleichwertigkeit in den PFn induzieren

217 citations


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TL;DR: In this article, the electroreflectance and absorption spectra as well as the hydrostatic pressure dependence of the fundamental absorption edge of GeS, GeSe, SnS, and SnSe crystals are investigated in polarized light.
Abstract: The electroreflectance and absorption spectra as well as the hydrostatic pressure dependence of the fundamental absorption edge of GeS, GeSe, SnS, and SnSe crystals are investigated in polarized light. The lowest direct energy gaps are found to be 1V1—1V1 (E | | a) and 1Λ4—1Λ4 (E || b) for Ge and Sn monochalcogenides, respectively. The pressure coefficient of the energy gap 1Λ4—1Λ4 dE/AP = = — (1.3 ± 0.1) × 10−4 eV/MPa of SnSe and SnS is almost twice larger than that of the gap 1V1—1V1 in GeSe, GeS, and SnSe. On the basis of these investigations, different absorption mechanisms responsible for the fundamental absorption edge are discussed. [Russian Text Ignored].

133 citations


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TL;DR: In this paper, a discussion generale des aspects theoriques de la forme des RPE, en mettant l'accent sur les parametres de l'hamiltonien de spin, and revue des donnees experimentales sur la distribution of ces parameter.
Abstract: Revue de l'etat actuel des connaissances en spectroscopie de RPE dans les solides desordonnes. discussion generale des aspects theoriques de la forme des RPE, en mettant l'accent sur les parametres de l'hamiltonien de spin, et revue des donnees experimentales sur la distribution de ces parametres. On conclut par des informations quantitatives sur l'ordre a courte distance, obtenues a partir des etudes de RPE

102 citations


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TL;DR: In this article, a generalization of three most universal methods of energy band structure calculations (KKR, APW, and tight binding) in the case of noncollinear spin configuration is given.
Abstract: A generalization is given of three the most universal methods of energy band structure calculations (KKR, APW, and tight binding) in the case of crystals with noncollinear spin configuration. It is shown that the use of generalize dsymmetry allows in many physically interesting cases to deduce a secular equation, which dimension is only two times higher than the dimension of the secular equation for a collinear magnet with the same crystal lattice. The possibilities of the methods are illustrated by a model example. [Russian Text Ignored]

95 citations



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TL;DR: In this paper, the energies and atomic structures of a series of symmetrical tilt grain boundaries in silicon are calculated using the tight-binding type electronic theory (the bond orbital model), and the discrepancy between the present results in silicon and the experimental observations in germanium for the Σ = 25(170) and Σ= 41(190) boundaries is discussed.
Abstract: The energies and atomic structures of a series of symmetrical 〈001〉 tilt grain boundaries in silicon are calculated using the tight-binding type electronic theory (the bond orbital model). There exists a continuity of boundary structures in the ranges 0° ≦ θ < 53.13° and 53.13° ≦ 90°. The type of boundary structures changes at the Σ = 5(130) boundary (θ = 53.13°); for this boundary, the model by Bacmann et al. is shown to be more energetically favorable. At the Σ = 5(120) (θ = 36.87°) and Σ = 5(130) (θ = 53.13°) boundaries, there exist comparatively deep cusps in the energy against θ curve. The discrepancy between the present results in silicon and the experimental observations in germanium for the Σ = 25(170) and Σ = 41(190) boundaries is discussed. Die Energien und Atomstrukturen einer Reine symmetrischer 〈001〉-Neigungskorngrenzen in Silizium werden mit der Elektronentheorie in der Naherung starker Kopplung (the bond orbital model) berechnet. In den Bereichen 0° ≦ θ < 53,13° und 53,13° ≦ θ < 90° existieren kontinuierliche Korngrenzenstrukturen. Der Typ der Korngrenzenstrukturen andert sich bei der Σ = 5(130) Korngrenze. Fur diese Korngrenze wird gezeigt, das das Modell von Bacmann et al. das energetisch gunstigere ist. Fur die Σ = 5(120) Korngrenze (θ = 36,87°) und die Σ = 5(130) Korngrenze (θ = 53,13°) existieren relativ tiefe Spitzen im Verlauf der Korngrenzenenergie uber θ. Der Unterschied zwischen den vorliegenden Resultaten in Silizium und den experimentellen Beobachtungen in Germanium fur die Σ = 25(170) und Σ = 41(190) Korngrenzen wird diskutiert.

70 citations



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TL;DR: In this article, the authors measured the energy of symmetric tilt grain boundaries in silicon using the tight-binding type electronic theory (bond orbital model) and showed that these reconstructed structures are more stable than those with dangling bonds.
Abstract: The energies of reconstructed structures of symmetrical 〈011〉 tilt grain boundaries with θ > 70.53° in silicon are calculated using the tight-binding type electronic theory (bond orbital model). The energies of the most stable reconstructed boundary structures are in the same range or a little larger than those with θ ≦ 70.53°. These reconstructed structures are more stable than those with dangling bonds. There exists the continuity of boundary structure in the range 70.53° ≦ θ ≦ 148.41° (Σ = 27). Shallow cusps in the energy against θ curve can be found at special boundaries of type Σ = 3 (θ = 109.47°), Σ = 11 (θ = 129.52°), and Σ = 27 (θ = 148.41°), all of which are composed of one kind of original patterns. For θ > 148.41°, boundary structures are composed of an array of a0[100] edge dislocations. Die Energien rekonstruierter Strukturen symmetrischer 〈011〉-Neigungskorngrenzen mit θ > 70,53° in Silizium werden mit der Elektronentheorie in der Naherung starker Kopplung (bond orbital model) berechnet. Die Energien der stabilsten rekonstruierten Korngrenzenstrukturen sind vergleichbar oder etwas groser als die der Korngrenzen mit θ ≦ 70,53°. Diese rekonstruierten Strukturen sind stabiler als die mit „dangling bonds”. Im Bereich 70,53° ≦ θ ≦ 148,41° (Σ = 27) existierten kontinuierliche Korngrenzenstrukturen. Flache Spitzen im Verlauf der Korngrenzen-energie uber θ konnen an speziellen Korngrenzen vom Typ Σ = 3 (θ = 109,47°), Σ = 11 (θ = = 129,52°) und Σ = 27 (θ = 148,41°), die sich alle aus einem Ursprungsmuster zusammensetzen, gefunden werden. Fur θ > 148,41° sind die Korngrenzenstrukturen aus einer Anordnung von a0[100]-Stufenversetzungen zusammengesetzt.

60 citations



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TL;DR: In this article, a theory of dynamical screening in heterostructures and semiconductor quantum wells is developed which contains electron-electron interaction and electron-phonon interaction.
Abstract: A theory of dynamical screening in heterostructures and semiconductor quantum wells is developed which contains electron–electron interaction and electron–phonon interaction. In this theory both the types of long-wave optical phonons, LO phonons and interface phonons, which occur in those layered structures are included. An expression is derived for the longitudinal screened interaction of subband electrons in heterostructures and quantum-wells. The obtained screened interaction potential allows the derivation of the total longitudinal dielectric function and the dispersion relation of the coupled intra- and intersubband plasmon-phonon modes. This screened interaction potential is used to develope a dynamically screened and finite-temperature theory of the electron–phonon interaction in heterostructures and quantum wells. The leading-order electron self-energy is disscussed. An analytic expression of the polarization function of the quasi-two-dimensional electron gas is calculated within the random-phase approximation. Further approximations, the plasmon pole approximation and the long-wave approximation are discussed and the resulting analytic expressions of the polarization function are given. Es wird eine Theorie der dynamischen Abschirmung in Heterostrukturen und Quanten-Wells entwickelt. Die dynamische Abschirmung beinhaltet sowohl die Elektron–Elektron- als auch die Elektron–Phonon-Wechselwirkung, wobei in letzterer die zwei Typen von langwellig-optischen Phononen (LO Phononen und Grenzflachen-Phononen), die in solchen schichtformigen Strukturen auftreten, explizit berucksichtigt werden. Das longitudinal abgeschirmte Wechselwirkungs-potential der Subband-Elektronen in Heterostrukturen und Quanten-Wells wird berechnet. Ausgehend von diesem Potential wird ein Ausdruck fur die totale longitudinale dielektrische Funktion und fur die Dispersionsrelation der gekoppelten Intra- und Intersubband-Plasmon–Phonon-Moden abgeleitet. Weiterhin wird aus diesem Potential eine Theorie der dynamisch abgeschirmten Elektron–Phonon-Wechselwirkung bei eindlichen Temperaturen in Heterostrukturen und Quanten-Wells abgeleitet. Die aus dieser Wechselwirkung resultierende Selbstenergie der Elektronen wird diskutiert. Es wird ein analytischer Ausdruck fur die Polarisationsfunktion des quasi-zweidimensionalen Elektronengases in der Random-Phase Approximation abgeleitet. Weitere Naherungen, die Plasmon-Pol-Naherung werden diskutiert und analytische Ausdrucke fur die Polarisationsfunktion abgeleitet.

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TL;DR: In this paper, the authors investigated the switching behavior of two beams and the switching behaviour of optical bistability at room temperature due to lattice heating of CdS in a fully cw-regime.
Abstract: Visible-wavelength increasing absorption bistability at room temperature is shown due to lattice heating of CdS in a fully cw-regime. Cross talk of two beams and the switching behaviour of the bistable system are investigated. For the first time critical slowing down is demonstrated for this type of optical bistability. Quantitative theoretical investigations based on the heat flow equations yield an excellent agreement with the experimental data. Optische Bistabilitat infolge wachsender Absorption im sichtbaren Wellenlangenbereich bei Raumtemperatur durch eine Gittererwarmung von CdS in einem vollig stationaren Regime wird gezeigt. Das Ubersprechen zwischen zwei Lichtstrahlen und das Schaltverhalten des bistabilen Systems werden untersucht. Erstmalig wird „critical slowing down” fur diesen Typ optischer Bistabilitat demonstriert. Quantitative theoretische Untersuchungen, die von der Warmeleitungsgleichung ausgehen, ergeben eine ausgezeichnete Ubereinstimmung mit den experimentellen Ergebnissen.

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TL;DR: In this paper, the zero-field splitting and g-values of the 3A2 ground state for d8 impurity ions in a trigonally distorted octahedral field are calculated.
Abstract: On the basis of the crystal-field theory the zero-field splitting and g-values of the 3A2 ground state for d8 impurity ions in a trigonally distorted octahedral field are calculated. Using perturbation theory the analytical expressions connecting the spin-Hamiltonian parameters with the crystal-field parameters are obtained. It is shown that experimental data for Cu3+ in Al2O3, and Ni2+ in Al2O3, α-LiIO3, LiNbO3 can be explained taking into account the influence of all the excited levels on the ground state. [Russian Text Ignored].


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TL;DR: In this article, the authors propose modeles theoriques des defauts a niveaux profonds dans les semiconducteurs a bande interdite etroite de type IV-VI and II-VI.
Abstract: Mise au point. Methodes experimentales. Modeles theoriques des defauts a niveaux profonds dans les semiconducteurs a bande interdite etroite de type IV-VI et II-VI

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M. Koyano1, H. Negishi1, Yoshifumi Ueda1, Minoru Sasaki1, Masasi Inoue1 
TL;DR: In this article, the effect of intercalation of 3D metals into TiS2 layers on the electronic properties is discussed, which can be explained by a simple model, which takes into account a temperatureindependent residual term and intra-and intervalley scattering by acoustic phonons.
Abstract: The temperature dependence of electrical resistivity and thermoelectric power of the intercalation compounds of MxTiS2 (M = Mn, Fe, Co, and Ni; 0 ≦ x ≦ 1/3) with layered structures are measured over the temperature range 1.5 to 300 K. These experimental results can be explained by a simple model, which takes into account a temperature-independent residual term and intra- and intervalley scattering by acoustic phonons. It is also shown that a phonon drag effect is effective for the thermopower. The effect of intercalation of 3d metals into TiS2 layers on the electronic properties is discussed. Die Temperaturabhangigkeit des elektrischen Widerstands und der Thermospannung der Interkalate von MxTiS2 (M = Mn, Fe, Co, und Ni; 0 ≦ x ≦ 1/3) mit Schichtstrukturen werden bei Temperaturen von 1,5 bis 300 K gemessen. Die experimentellen Ergebnisse konnen durch ein einfaches Modell erklart werden, das einen temperaturunabhangigen Restterm sowie „intra- und intervalley scattering” durch akustische Phononen berucksichtigt. Es wird auch gezeigt, das ein „phonon-drag”-Effekt fur die Thermospannung wirksam ist. Der Einflus der Interkalation von 3d-Metallen in die TiS2-Schichten auf die elektronischen Eigenschaften wird diskutiert.

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TL;DR: In this paper, a theoretical study of the subband structure and impurity related levels in GaAs/Ga1−xAlxAs heterojunction is given. And a theoretical analysis of the impurity level of GaAs is presented.
Abstract: A theoretical study of the subband structure and impurity related levels in GaAs/Ga1−xAlxAs heterojunction is given.

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TL;DR: Daruberhinaus et al. as mentioned in this paper developed a theory to study the pressure dependence of Gruneisen parameter, γ, and showed that γ varies linearly with the pressure, that is,
Abstract: A simple theory is developed to study the pressure dependence of Gruneisen parameter, γ. The final results show that γ varies linearly with the pressure, that is, γ(p, T) = γ(0, T) – ηp where η is found to be a pressure-independent but temperature-dependent parameter. Moreover, it is shown that η is related to some other thermodynamic parameters and hence can have positive or negative magnitude which in turn will decide whether γ(p, T) decreases or increases with pressure. The calculated values of γ(p, T) in the whole range of pressure and temperature are found in very good agreement with the experimental results in case of all the solids studied like NaCl, CaF2, MgO, quartz, Na, K, and Li. Further, it is shown that the second Gruneisen parameter, q, and the Debye temperature, θ, can also be calculated as a function of pressure with the help of the present theory. Eine einfache Theorie zur Untersuchung der Druckabhangigkeit des Gruneisenparameters γ wird entwickelt. Das Endresultat zeigt, das γ linear mit dem Druck variiert, d. h. γ (p, T) = γ(0, T) – ηp, wobei η ein druckunabhangiger jedoch temperaturabhangiger Parameter ist. Daruber-hinaus wird gezeigt, das η mit einigen anderen thermodynamischen Parametern verknupft ist und positive oder negative Grose haben kann, was umgekehrt entscheidet, ob γ(p, T) abnimmt oder zunimmt mit dem Druck. Die berechneten Werte von γ(p, T) im gesamten Druck- und Temperaturbereich sind in guter Ubereinstimmung mit den experimentellen Ergebnissen im Falle aller untersuchten Festkorper: NaCl, CaF2, MgO, Quarz, Na, K und Li. Daruberhinaus wird gezeigt, das der zweite Gruneisenparameter q und die Debye-Temperatur θ auch als Funktion des Druckes mit Hilfe der vorgestellten Theorie berechnet werden konnen.


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TL;DR: In this paper, the first-order and second-order piezoresistivity coefficients were calculated using analytical expressions for the strain dependent energy-wave vector relations of the valence bands and the known deformation potentials.
Abstract: Piezoresistivity measurements are carried out on heavily doped ion-implanted p-type resistors on the surfaces of cantilever beams cut from a (100) silicon wafer. Tensile and compressive stresses, up to 85 MPa along the [110] direction, are applied by bending the beams with a micrometer. Nonlinear effects are clearly seen in the measurements where the resistor contains sections both parallel and perpendicular to the stress. The results are analyzed in terms of the first- and second-order piezoresistance coefficients. Values of the piezoresistance coefficients are calculated using analytical expressions for the strain dependent energy-wave vector relations of the valence bands and the known deformation potentials. The results of the calculations are compared with the experimental data including some earlier measurements reported in literature. The calculated values of the first-order coefficients are found to agree fairly well with the experimental data. The calculated second-order coefficients are able to describe the observed anisotropy in the nonlinear piezoresistivity of the second order in stress. Piezowiderstandsmessungen an stark dotierten, ionenimplantierten p-Typ-Widerstanden auf aus einer (100)-Siliziumscheibe geschnittenen Balken werden durchgefuhrt. Sowohl Zug als auch Kompression bis 85 MPa in [110]-Bichtung werden durch Biegung des Balkens mit einem Mikrometer ausgefuhrt. Nichtlineare Phanomene bei den Messungen sind klar zu sehen, bei denen der Widerstand Anteile sowohl parallel als auch senkrecht zur Spannung enthalt. Die Resultate werden mit den Piezowiderstandskoeffizienten erster und zweiter Ordnung analysiert. Bei den Berechnungen der Piezowiderstandskoeffizienten werden analytische Ausdrucke fur die deformationsabhangigen Energie-Wellenvektor-Relationen der Valenzbander und die bekannten Deformationspotentiale benutzt. Die Ergebnisse der Berechnungen werden mit den experimentellen Daten einschlieslich fruherer Daten aus der Literatur verglichen. Die berechneten Werte der Koeffizienten erster Ordnung stimmen ziemlich gut mit den Experimenten uberein. Die berechneten Koeffizienten zweiter Ordnung konnen die beobachtete Anisotropie im nichtlinearen Piezowiderstandseffekt beschreiben.

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TL;DR: In this article, a reduced angular momentum expansion (RAME) was proposed for the multiple-scattering theory for the excited electrons, in which the incoming waves are approximated in the range of the scattering potential by a limited set of spherical waves with low angular momenta.
Abstract: In order to improve the calculations of ARPES, ARAES, and EXAFS a new approximation in the multiple-scattering theory for the excited electrons is introduced, which is called reduced angular momentum expansion (RAME). In the RAME the incoming waves are approximated in the range of the scattering potential by a limited set of spherical waves with low angular momenta. This is a much better description than the plane wave approximation in the often used small scattering-centre approximation. The RAME possesses a high accuracy for energies down to 40 eV and needs a substantially lower numerical effort than the full angular momentum expansion. For higher energies it can be further simplified and it modified small-scattering-centre approximation is obtained, which takes into account the curvature of the waves by means of effective scattering amplitudes. Um die Berechnung von ARPES, ARAES und EXAFS zu verbessern, wird eine neue Naherung in die Vielfachstreutheorie fur die angeregten Elektronen eingefuhrt, die als reduzierte Drehimpulsentwicklung (RAME) bezeichnet werden soll. In der RAME werden die einfallenden Wellen im Bereich des Streupotentials durch einen beschrankten Satz von Kugelwellen mit niedrigen Drehimpulsquantenzahlen approximiert. Das ist eine weitaus bessere Beschreibung als die Approximation durch eine ebene Welle in der oft verwendeten Naherung kleiner Streuzentren. Die RAME besitzt eine hohe Genauigkeit fur Energien bis hinab zu 40 eV und benotigt wesentlich weniger Rechenaufwand als eine vollstandige Drehimpulsentwicklung. Bei hoheren Energien kann sie weiter vereinfacht werden, und man erhalt eine modifizierte Naherung kleiner Streuzentren, die die Krummung der Wellenfronten durch effektive Streuamplituden berucksichtigt.

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TL;DR: The absorption coefficient of GeSe was determined from the measured values of transmissivity and reflectivity as mentioned in this paper, where the measurements were carried out with plane polarized light with the plane of polarization parallel to the a- and c-axes which lie in the cleavage plane in the temperature range from room temperature to near liquid nitrogen temperature.
Abstract: The absorption coefficient of GeSe is determined from the measured values of transmissivity and reflectivity. The measurements are carried out with plane polarized light with the plane of polarization parallel to the a- and c-axes which lie in the cleavage plane in the temperature range from room temperature to near liquid nitrogen temperature. Near the fundamental absorption edge the results are fitted to an equation corresponding to an indirect forbidden transition with a single type of phonon engaged in the interband absorption process. The optical energy gap at room temperature is found to be (1.075 ± 0.017) and (1.080 ± 0.016) eV for the a- and c-axes, respectively. The dependence of the energy gap on temperature is linear in the temperature range from 96 to 250 K with a negative temperature coefficient dEg/dT equal to −0.43 and −0.49 meV/K for the a- and c-axis, respectively. Der Absorptionskoeffizient von GeSe wird aus den gemessenen Werten der Transmission und des Reflexionsvermogens bestimmt. Die Messungen werden im Bereich von Zimmertemperatur bis zu Temperaturen in der Nahe des flussigen Stickstoffs mit planpolarisiertem Licht und Polarisationsebene parallel zur a- und c-Achse, die in Spaltebene liegen, durchgefuhrt. In der Nahe der Grundgitterabsorptionskante werden die Ergebnisse an eine Gleichung angepast, die einem verbotenen indirekten Ubergang mit einem Phononentyp, der am Interbandabsorptionsprozes beteiligt ist, entspricht. Die optische Energiebandlucke bei Zimmertemperatur wird zu (1,075 ± 0,017) und (1,080 ± 0,016) eV fur die a- bzw. c-Achse bestimmt. Die Abhangigkeit der Bandlucke von der Temperatur ist im Temperaturbereich von 96 bis 250 K linear mit einem negativen Temperatur-koeffizienten dEg/dT von −0,43 und −0,49 meV/K fur die a- bzw. c-Achse.

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TL;DR: In this article, the Anderson-Gruneisen parameters r, q, δT, and δS with experimentally determinable quantities are used to determine the values of these parameters at room temperature 295 K. The results so obtained are discussed in the light of currently accepted theoretical and experimental values of the quantities.
Abstract: Thermodynamic equations connecting the Gruneisen and the Anderson-Gruneisen parameters r, q, δT, and δS with experimentally determinable quantities are used to determine the values of these parameters at room temperature 295 K. The results so obtained are discussed in the light of the currently accepted theoretical and experimental values of these quantities. Thermodynamische Gleichungen, die die Gruneisen- und die Anderson-Gruneisenparameter r, q, δT und δS mit experimentell bestimmbaren Grosen verknupfen, werden benutzt, um den Wertdieser Parameter bei Zimmertemperatur 295 K zu bestimmen. Die so erhaltenen Ergebnisse werden mit den gegenwartig akzeptierten theoretischen und experimentellen Werten dieser Grosen diskutiert.

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TL;DR: For interstitial hydrogen (and μ+) in Nb and Ta, an empirical short-ranged host-lattice-particle interaction potential is presented, which well reproduces the available experimental data.
Abstract: For interstitial hydrogen (and μ+) in Nb and Ta an empirical short-ranged host-lattice–particle interaction potential is presented, which well reproduces the available experimental data. By use of this potential various quantum-mechanical states of the light-particle–lattice system are investigated and their properties (such as excitation energies and transfer integrals) calculated. In particular, for H and μ+ in Nb and Ta the relative stability of the tetrahedral (1T-) and octahedral (4T-) configurations is investigated. For these cases in the present model no potential barrier is found between the two configurations which indicates an instability of the energetically higher state against symmetry-breaking fluctuations. Fur interstitiellen Wasserstoff (und μ+) in Nb und Ta wird ein empirisches Wirtsgitter–Teilchen-Wechselwirkungspotential kurzer Reichweite vorgestellt, das die vorhandenen experimentellen Daten gut wiedergibt. Mit diesem Potential werden verschiedene quantenmechanische Zustande des Teilchen–Gitter-Systems untersucht und deren Eigenschaften (wie Anregungsenergien und Tunnelintegrale) berechnet. Insbesondere wird fur H und μ+ in Nb und Ta die relative Stabilitat von tetraedrischer (1T-) und oktaedrischer (4T-) Konfiguration untersucht. Im vorliegenden Modell findet sich fur diese Falle keine Potential-Barriere zwischen den beiden Konfigurationen, was auf eine Instabilitat des energetisch hoheren Zustandes gegenuber Symmetrie-brechenden Fluktuationen hinweist.

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Abstract: IR transmission spectra are measured at (Bi1−xSbx)2Te3 single crystals with x = 0.5, 0.7, 0.9 near the absorption edge at 84 and 300 K. For the determination of the optical constants also the reflectivity of polarized infrared light is recorded in the plasma range at 300 K. The dependence of the free carrier part of the dielectric function on the wave number ϵ(v) indicates that acoustic phonon scattering is the dominant mechanism. The interband contribution ϵ(v) is interpreted by indirect allowed band transitions. The energy gap and the phonon energies are calculated and lie in a physically reasonable range.

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TL;DR: In this paper, the diffusion coefficients of H and D in Nban Ta are derived based on the quantum theory of the diffusion of light interstitials and take into account the lattice-configuration dependence of the hydrogen tunneling integrals and the effects of adiabatic saturation of the transition rate.
Abstract: Results of quantitative theoretical investigations are presented concerning the diffusion coefficients of H and D in Nban Ta. They are based on the quantum theory of the diffusion of light interstitials and take into account the lattice-configuration dependence of the hydrogen tunneling integrals and the effects of adiabatic saturation of the transition rate. Thecalculations make use of a semiempirical hydrogen-host-lattice interaction potential which is adapted to experimental data from outside the diffusion phenomena. The resulting theoretical values for the diffusion coefficients agree well with the experimental observations. Ergebnisse quantitativer theoretischer Untersuchungen der Diffusionskoeffizienten von H nnd D in Nb und Ta werden vorgestellt. Sie basieren auf der Quantentheorie der Diffusion leichter Zwischengitterteilchen und berucksichtigen die Abhangigkeit der Wasserstoff-Tunnelintegrale von der Gitterkonfiguration und die Effekte der adiabatischen Sattigung der Ubergangsrate. Die Rechnungen machen Gebrauch von einem semiempirischen Wasserstoff–Wirtsgitter-Wechsel-wirkungspotential, dasan experimentelle Daten aulserhalb der Diffusionsphanomene angepast wurde. Die resultierenden theoretischen Werte der Diffusionskoeffizienten stimmen gut mit den experimentellen Beobachtungen uberein.

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TL;DR: In this paper, the exchange coupling parameter between the Ho and Co spins in Ho2Co17 has been derived and the value of 9.27 × 10−23 J was derived.
Abstract: The value of 9.27 × 10−23 J for the exchange coupling parameter between the Ho and Co spins in Ho2Co17 has been derived. Some experimental evidence is given to show that the R–T spin coupling parameter is rather insensitive to the kind of the rare earth atom as well as on the cobalt composition. It allows to calculate the intersublattice molecular fields for the rare earth–cobalt intermetalic compounds. This field affects the R magnetic moment and originates from the Co sublattice in the R2Co17, RCo5, R2Co7, RCo3, and RCo2 compounds. The fields in the new magnetic materials of the R2Co14B type have also been evaluated. Es wird ein Wert von 9,27 × 10−23 J fur den Austauschparameter zwischen den Ho- und Co-Spins in Ho2Co12 ermittelt. Aus experimentellen Daten wird geschlossen, das der R–T-Spinkopplungsparameter relativ unempfindlich gegenuber der Art der Seltenen Erde und dem Kobaltgehalt ist. Dies gestattet, die molekularen Felder der Untergitter fur die intermetallischen Verbindungen zwischen Seltenen Erden und Kobalt zu berechnen. Diese Felder beeinflussen das magnetische Moment der Seltnen-Erd-Atome und ruhren von dem Co-Untergitter in den Verbindungen R2Co17, RCo5, R2Co7, RCo3 und RCo2 her. Die Felder in den neuen magnetische Materialien vom Typ R2Co14B werden ebenfalls berechnet.



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TL;DR: In this article, a simple method for the selfconsistent quantum mechanical calculation of the electronic structure of inversion layers in materials with a Kane conduction band is presented which is well suited for the application in semiconductor technique.
Abstract: Field effect devices on the basis of InSb are increasingly used in semiconductor technique. Due to the non-parabolicity of the band structure of the conduction band the theoretical description of such devices is more complicated than for other materials. A simple method for the self-consistent quantum mechanical calculation of the electronic structure of inversion layers in materials with a Kane conduction band is presented which is well suited for the application in semiconductor technique. The method is based on an extension of a modified local density approximation for interface problems. The efficiency of this simple method is shown for the example of InSb by compzring with experiments and with results of earlier laborious self-consistent calculations using wave functions. The necessity is proved to take into account the deviation from the parabolic band structure in the self-consistent calculations. Feldeffektbauelemente auf der Basis von InSb finden zunehmend Anwendung in der Halbleitertechnik. Die theoretische Beschreibung derartiger Bauelemente ist wegen der Nichtparabolizitat der Bsndstruktur des Leitungsbandes komplizierter als fur andere Materialien. Es wird eine einfache Methode fur die selbstkonsistente quantenmechanische Berechnung der elektronischen Struktur von Inversionsschichten in Materialien mit einem Kane-Leitungsband vorgestellt, die vor allem fur die Anwendung in der Halbleitertechnik geeignet ist. Das Verfahren beruht auf einer Erweiterung einer modifizierten Lokaldichtenaherung fur Grenzflachenprobleme. Es wird die Leistungsfahigkeit dieser einfachen Methode gezeigt, indem am Beispiel des InSb die Ergebnisse verglichen werden mit fruheren aufwendigen selbstkonsistenten Berechnungen unter Verwendung von Wellenfunktionen und mit experimentellen Resultaten. Die Notwendigkeit, die Abweichung von der parabolischen Bandstruktur in selbstkonsistenten Rechnungen zu berucksichtigen, wird nachgewiesen.