Showing papers by "Walter Neu published in 2002"
Patent•
14 Aug 2002
TL;DR: In this article, a method for the thermal treatment of a surface layer (4) on a semiconductor substrate (5) was proposed, which can be used to produce ohmic contacts to III-V compound semiconductors.
Abstract: The invention relates to a method for the thermal treatment of a surface layer (4) on a semiconductor substrate (5). Laser pulses (2) generated by a laser (1) are emitted onto the surface layer (4). This method can be used to produce, in particular, ohmic contacts to III-V compound semiconductors.
4 citations
Patent•
14 Aug 2002
TL;DR: In this article, a method for heat treating a surface layer (4) on a semiconductor substrate (5) is described, where laser pulses generated by a laser are delivered to the surface layer.
Abstract: The invention relates to a method for heat treating a surface layer (4) on a semiconductor substrate (5). Laser pulses (2), generated by a laser (1), are delivered to the surface layer (4). Said method permits, in particular, ohmic contacts to III-V compound semiconductors to be produced.
Patent•
14 Aug 2002
TL;DR: In this article, a procedure for traitement thermique d'une couche superficielle (4) sur un substrat semiconducteur (5) is presented, which permits realiser des contacts ohmiques avec des composes semiconducteurs III-V.
Abstract: L'invention concerne un procede de traitement thermique d'une couche superficielle (4) sur un substrat semiconducteur (5). Cette couche superficielle (4) est soumise a des impulsions laser (2), produites par un laser (1). Ledit procede permet, en particulier, de realiser des contacts ohmiques avec des composes semiconducteurs III-V.
Patent•
14 Aug 2002
TL;DR: In this article, die erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur warmebehandlung einer Oberflachenschicht (4) auf a Halbleitersubstrat (5).
Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Warmebehandlung einer Oberflachenschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (5). Es werden auf die Oberflachenschicht (4) Laserpulse (2) abgegeben, die von einem Laser (1) erzeugt werden. Mit diesem Verfahren lassen sich insbesondere Ohmsche Kontakte zu III-V-Verbindungshalbleitern herstellen.