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Patent•
24 Aug 2017
TL;DR: In this article, a Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Einheit beinhaltet ein Bereitstelle einer Struktur aus einem spannungsreichen Silicium auf einem Isolator (SSOI-Struktur).
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Einheit beinhaltet ein Bereitstellen einer Struktur aus einem spannungsreichen Silicium auf einem Isolator (SSOI-Struktur), wobei die SSOI-Struktur eine auf einem Substrat (10) angeordnete dielektrische Schicht (20), eine auf der dielektrischen Schicht (20) angeordnete Silicium-Germanium-Schicht (30) sowie eine direkt auf der Silicium-Germanium-Schicht (30) angeordnete Schicht (40) aus einem spannungsreichen Halbleitermaterial aufweist, ein Bilden einer Mehrzahl von Rippen (43, 45) auf der SSOI-Struktur, ein Bilden einer Gate-Struktur (50) uber einen Abschnitt von wenigstens einer Rippe in einem nFET-Bereich hinweg, ein Bilden einer Gate-Struktur (60) uber einen Abschnitt von wenigstens einer Rippe in einem pFET-Bereich hinweg, ein Entfernen der Gate-Struktur (60) uber den Abschnitt der wenigstens einen Rippe in dem pFET-Bereich hinweg, ein Entfernen der Silicium-Germanium-Schicht (30), die durch das Entfernen freigelegt wurde, sowie ein Bilden einer neuen Gate-Struktur (90) uber den Abschnitt der wenigstens einen Rippe in dem pFET-Bereich hinweg, so dass die neue Gate-Struktur (90) den Abschnitt auf allen vier Seiten umgibt