We have observed laser action at λ=3.06 μm in In0.77Ga0.23As0.74Sb0.26/InP0.7Sb0.3 double heterojunction, diode lasers, which were grown by organometallic vapor‐phase epitaxy. The maximum operating temperature was T=35 K, and typical threshold current densities were 200–330 A/cm2. At temperatures up to 35 K, the lasing wavelength decreased with increasing temperature owing to a band‐filling effect.

3.06 μm InGaAsSb/InPSb diode lasers grown by organometallic vapor‐phase epitaxy

(a) Direct-Gap Edge—In obtaining Eq. (3.5), we assumed that the matrix element Pcv(k) is constant in its value so that we can obtain the well-known line shape of e2 at the 3D Mo CP [Eq. (3.14)]. In cases where transitions are forbidden in the electric-dipole approximation, one can make use of the k dependence of the matrix element and expand around the CP at kc and keep only the linear term. We can, then, obtain for “forbidden” direct transitions at the 3D Mo CP [1]

At or Below the Fundamental Absorption Edge

Dans cette these nous presentons dans un premier temps nos resultats experimentaux sur les instabilites de polarisation de lasers a boites quantiques (QD) et a cavite verticale (VCSELs). Ces instabilites presentent des caracteristiques differentes de celles observees dans les lasers VCSELs a puits quantiques : une competition se produit entre deux etats polarises elliptiquement et non orthogonaux, qui donne lieu a une dynamique de saut de mode de polarisation dans le temps. Le temps de sejour moyen dans un mode decroit de huit ordres de grandeur en augmentant le courant d’injection (de la seconde a la nanoseconde). A notre connaissance ceci constitue la premiere observation d’une dynamique de polarisation d’un VCSEL avec une echelle de temps aussi diversifiee.Nous presentons ensuite une etude theorique d’un laser QD avec injection optique, en prenant en compte la dynamique des porteurs de charge vers des etats energetiques excites. Nous montrons qu’aux dynamiques d’impulsions excitables observees experimentalement s’ajoutent des dynamiques auto-pulsees complexes resultant d’une phenomene de bifurcation autour d’un point de selle (« bottleneck »). Finalement nous avons etudie le cas d’un laser QD emettant simultanement depuis les etats d’energie fondamental et excite. Alors que la lumiere est injectee dans laser QD esclave a la frequence proche de l’etat d’energie fondamental, nous montrons que l’emission a la frequence de l’etat excite presente une dynamique auto-pulsee avec des impulsions tres courtes (ps) suite a un mecanisme de basculement de gain

Polarization properties and nonlinear dynamics of quantum dot lasers

Double heterojunction (DH) lasers are composed of a lower energy bandgap active layer sandwiched between higher bandgap cladding layers, and the refractive index of the active layer has to be higher than that of the cladding layer. A number of published papers are based on the belief that higher bandgap materials necessarily have lower refractive indexes, so that the correct-bandgap DH structure automatically satisfies the requirement for the refractive index. This paper points out that this belief appears to be incorrect, and presents a series of examples in support of this statement.

M. Toda

Papers

Material selection for double heterojunction lasers--A higher bandgap does not necessarily mean lower refractive index