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Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiters

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Warmebehandlung einer Oberflachenschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (5). Es werden auf die Oberflachenschicht (4) Laserpulse (2) abgegeben, die von einem Laser (1) erzeugt werden. Mit diesem Verfahren lassen sich insbesondere ohmsche Kontakte zu III-V-Verbindungshalbleitern herstellen.