In this work, highly-pure silicon oxide nanostructures were prepared by a closed-field unbalanced magnetron plasma sputtering technique. These nanostructures were characterized by Fourier-transform infrared spectroscopy, UV-visible spectroscopy, x-ray diffraction, scanning electron microscopy, energy-dispersive x-ray spectroscopy and atomic force microscopy in order to determine the optimum preparation conditions. Minimum particle size of 20 nm was determined for the samples prepared at an inter-electrode distance of 4 cm, Ar:O2 gas mixing ratio of 70:30, total gas pressure of 0.08 torr, discharge voltage of 2.5 kV, discharge current of 35 mA, anode temperature of 27 ∘C (room temperature) and cathode temperature of about 40 ∘C. These conditions are optimized to control the structural characteristics of such nanostructures and hence to satisfy certain requirements and purposes in spectroscopic and photonic applications of SiO2 nanostructures.

Optimization of Preparation Conditions to Control Structural Characteristics of Silicon Dioxide Nanostructures Prepared by Magnetron Plasma Sputtering

In this work, nanostructured silicon dioxide films are deposited by closed-field unbalanced direct-current (DC) reactive magnetron sputtering technique on two sides of quartz cells containing rhodamine B dye dissolved in ethanol with 10‒5 M concentration as a random gain medium. The preparation conditions are optimized to prepare highly pure SiO2 nanostructures with a minimum particle size of about 20 nm. The effect of SiO2 films as external cavity for the random gain medium is determined by the laser-induced fluorescence of this medium, and an increase of about 200% in intensity is observed after the deposition of nanostructured SiO2 thin films on two sides of the dye cell.

/pdf/detection-of-gain-enhancement-in-laser-induced-fluorescence-m6ao7y7uot.pdf

Detection of Gain Enhancement in Laser-Induced Fluorescence of Rhodamine B Lasing Dye by Silicon Dioxide Nanostructures-Coated Cavity

/pdf/the-growth-and-investigation-of-interface-of-sio2-si-by-4gryx4xiat.pdf

The Growth and Investigation of Interface of Sio2/Si by Anodic Oxidation Technique Using Acetic Acid Medium

In this work firstly, a parallel plat capacitor with thin film of Poly Mathyl Metha Acrylate (PMMA) have been fabricated for different thickness using a spinner technique. Secondly, the effect of gamma ray radiation on electrical properties of these capacitor have been studied. Electrical characteristic of un-exposured and exposured capacitor to gamma ray for different periods times have been studied. The results show that the غابدلا عيدب ءارهز و لامجلا يرون ىيحي 140 breakdown voltage, in general, is decreased an exponentially when the capacitor exposured to a certain time of radiation. while it’s reveal an increasing breakdown voltage with the increasing in irradiation period time. This work is also include the study of the effect of radiation on electrical conductivity. The results show that there is an exponentially decreasing in electrical conductivity as increasing exposured time for gamma ray. Finally, the effect of gamma radiation on the value of capacitance for the fabricated capacitor, have been studied. The results show that there is an increasing in it’s value as increasing in exposured time. ـــــــ ـــــــــــــــــــ ــــ ــــــــــــــــــــ مدقملا ة تاعانصـلا يـف ادـج ةمهملا روملأا نم ربتعت ةيئايزيفلا اهصاوخ ديدحتو داوملا ةسارد ةيلمع نا اـهريوطتو ةينورتكللإا طئابنلا ةعانص نيسحتل يساسلأا دفارلا دعت ةيلمعلا هذه لثم نلا كلذ ،ةينورتكللإا تو نيسحت يلاتلابو ماع لكشب ةينورتكللإا ةزهجلأا ريوط . ةداـمك اهلامعتـسا لبق ةمدختسملا داوملا ةعيبط ةسارد ىلع فقوتت لا تاساردلا هذه لثم نا امك ب ةعانص اذكه لثم يف ةيساسأ ت ل ةـيئايزيفلا تارـييغتلا ديدحتو داوملا هذه ةسارد ىلا لصتل كلذ زواجت هيلع أرطت يتلا ا ساسأ ةدامك اهلامعتسا دعب ةحـضاو ةروص يطعت تاساردلا هذه نا ثيح ةعانصلا يف ةي ةحـضاو ةروـص يـطعت يلاتلابو طئابن اذكه لثمل يليغشتلا رمعلا ةرتف للاخ ةعنصملا طئابنلا صاوخل ةزهجلأا هذهل يليغشتلا رمعلا ةرتف لوط ىلع ةعنصملا ةينورتكللإا ةزهجلأا ةءافكل صاوخل . ىلا ةفاضلإاب ئابنلا هذه ضعب ناف كلذ هذـه نـمو ،اهليغشت ةرتف ءانثأ ةيجراخ ةيئايزيف تارثؤم ىلا ةضرعم نوكت ط و ةيرارحلاو ةيكيناكيملا تارثؤملا يه تارثؤملا تارثؤملا ،ةيوونلا تاعاعشلإا نم ةجتانلا ...... . خـلا . طئاـبنلا اهب فرصتت يتلا ةيكولسلا ديدحتو ةيجراخلا لماوعلا تاريثأت ةسارد يرورضلا نم حبصأ كلذل ملا يف ةمدختسملا داوملاب ةقلعتملا تاساردلا لامجإ نكمي هيلعو ،تارثؤملا هذه لثمل اهضيرعت ءانثأ ةعنص رـمعلا ءاـنثأ داوملا ةساردو ،طئابنلا عينصت يف اهمادختسا لبق داوملا ةساردب ةينورتكللإا طئابنلا ةعانص عت ءانثأ داوملا هذه ىلع أرطت يتلا تاريغتلا ةسارد اريخاو يليغشتلا ةـيجراخ ةـيئايزيف تارثؤمل اهضر طئابنلا هذهل يليغشتلا رمعلا ةرتف للاخ . تيظح يتلا داوملا نم لعلو رضاحلا تقولا يف يف نيثحابلا لبق نم ةينورتكللاا طئابنلا عينصت يه امل كلذو ةيرميلوبلا داوملا هب زاتمت يعيبطلا داوملا نم اهتلايثم ىلع قوفتت اهتلعج تافص نم داوملا هذه ة ىرخلاا . انه ركذلاب ريدجلا نمو ثوحبلا نا ةيراجلا ةـلزاع داوم تسيل ةيرميلوبلا داوملا نأ تتبثأ اـمك ً اقباس اهيلع ً افورعم ناك ةلصوم هبشو ةلصوم ةيرميلوب داوم كانه نا لب ً اضيا ناـف كـلذ ىلا ةفاضا ، داوملا نم ضعبلا لع ةزجنملا ثوحبلا للاخ نم اهتيلباق تتبثأ ةيرميلوبلا لوـصولا ىلع ةردقلا اهل نأب اهي قئافلا ليصوتلا ةلاح ىلا (Donald,1979)(Rose, 1955) . ةيئابرهكلا صاوخلا ىلع اماك ةعشأ ريثأت ...... 141 ءوض ىلعو ف كلذ ل ةداـمك اهتـسارد تنمضت اهنمف ،ةيرميلوبلا داوملا ةسارد يف ثوحبلا تددعت دق رـتف للاخ اهصاوخ ديدحتو ةسارد تنمضت اهنمو ،ةينورتكللإا طئابنلا ةعانص يف اهلوخد لبق ةيساسأ تا داوملا ةسارد ىلع تماق ىرخأ ةريثك ثوحبو ،ةنيعم ةطيبن يف ةدامك اهدوجو ءانثأ يليغشتلا اهرمع نم ءاـنثأ ةيوونلا تاعاعشلإاو ،طغضلا ،ةرارحلا لثم ةيجراخ ةيئايزيف تارثؤم ىلا اهضرعت ءانثأ ةيرميلوبلا اهليغشت ةرتف ( (Makki, 2000)(Ibrahim, 1977) ) ،مشاه 1988 ( . هلا نا يرميلوـبلا ءاشـغلا تاذ ةيزاوتملا حاوللأا تاعستم عينصت وه ثحبلا اذه نم ساسلأا فد ليثملا تلايركا اثيم يلوب ةدام نم قيقرلا (PMMA) . ةساردو صاوخ لبق تاعستملا هذه دعبو اهضرعت و اماك ةعشأ ىلا ةفرعمل تاريغتلا ةيئايزيفلا يتلا دق لا هذه ىلع لصحت تاعستم أ ىـلا اهضرعت دعب ةعـش ،اماك كلذو ملا هذه ةيحلاص ىدم ةفرعم لجا نم ةدا تاعستملا يف ةمدختسملا . قتلا ـ لمعلا ةين ـ ةي لا تاعستم كمسـب ةـيجاجز ةحيرش لامعتساب اهعينصت مت سايقلا يف ةمدختسملا (1mm) داـعبأو (1.5cmx1.5cm) ينويلألا رطقملا ءاملا ةطساوب ةديج ةروصب ةحيرشلا هذه فيظنت مت ثيح ، نوتيسلأاو ةواقنلا يلاع موينمللأا نم ةقيقر ةقبط بيسرت مت مث نمو (99.999%) رزـلب ةكرـش لـبق نم زهجملاو كمسبو (2000Å) ةـينقت مادختـسا مت رميلوبلا نم كمسلا لثامتم لزاع ءاشغ ىلع لوصحلا لجا نمو ، ريودتلا ) ،ينطولا 1999 ( كلذل ةلئاس ةدام مادختسا بلطتت ةينقتلا هذه نا ثيح ، رميلوـبلا ةـباذإ مـت دقلف مدختسملا (PMMA) طساوب ةيمجح ةبسنبو مروفورولك بيذملا ة (1:4) ) ةعبرأ بيذملل ةيمجحلا ةبسنلا نوكت مدختسملا رميلوبلا فاعضأ ( ، كامـسأب ةـيرميلوب ةيشـغأ ىـلع لوصـحلا مـت ةـينقتلا هذه ةطساوب اهرادقم 1064Å) , 1277Å , 1915Å , (3830Å . ـ ساب ةيشـغلأا كمـس سايق مت يكسـنلوت ةـينقت مادخت (Tolansky Tech. ) ءاشـغلا حطـس ىـلع ةواقنلا يلاع موينمللأا ةدام نم ةقبط بيسرت مت كلذ بقع ، عون نم بيسرتلا زاهج مادختسا ةطساوب لزاعلا ) (Varian رـطقب رئاود لكش ىلعو ) (1mm ةطـساوب ةبسانم ةعنقأ مادختسا . قرف ةقيرط اندمتعا دقل ارد يف رايتلا دهجلا للاخ نم كلذو جذامنلا هذهل ةيئابرهكلا تارايهنلاا ةس اهيلع ةنيعم ةيتلوف طيلست دنع ةعستملا ربع برستملا رايتلا سايق . طبر مت ةـيئابرهكلا تاـسايقلا ةزهجا ةعنصملا تاعستملل يسدنهلا لكشلا مئلات يكل تممص يتلا تاسجملاب . رمتسـملا رايتلاب تاعستملا تدوز عون ةردقلا زهجم نم Leybolde 52273 رقتسم ً ارمتسم ً ارايت يطعي . ىلع طلسملا دهجلا قرف سايقل امأ عون نم رشؤم يذ رتيمتلوف لمعتسا دقلف ةنيعلا Trilett . ىلا رايتلا سايقل رتيملأا زاهج مدختسا كلذكو عون نم رتيمونانلا دودح (Digital Multi – Meter of 177) جذامنلا عيعشت مت اريخاو عوـن اـماك ةعـشلأ عشـم ردصـم يهو اماك ةيلخ مادختساب ةعنصملا (Gamma Cell 220) ةيلاعف وذ عنصلا يدنك ، (6430 Ci) ةنس يف عنصم (1982) . غابدلا عيدب ءارهز و لامجلا يرون ىيحي 142 ةشقانملاو جئاتنلا صاوخ ةسارد دنبلا اذه نمضتي ) رايتلا – ةيتلوفلا ( لل ةفلتخم كامسلأ تاعستم ثـيح ، ةعنصـملا صاوخ ةسارد نمضت ) ايتلا ر ةيتلوفلا ( ىـلإ ةفاضا ،اماك ةعشلأ ضرعتلا دعبو لبق ةعنصملا تاعستملل نـم لـك ىـلع عيعشتلا تاريثأت ةساردو ، تاعستملا رايهنا تايتلوف ىلع عيعشتلا نمز تاريثأت ةسارد ةعنصملا تاعستملا ةعس ىلعو ةيئابرهكلا ةيليصوتلا . ا صاوخ ) رايتلا – ةيتلوفلا ( عنصملا تاعستملل ة : لكشلا نيبي (1) صاوخ تاينحنم ) رايتلا – ةيتلوفلا ( ةـيزاوتملا حاوـللأا تاعستمل ءاشـغلا تاذ لا يرميلوبلا ةدام نم قيقر ) PMMA ( كامسأبو ( 3830Å, 1915Å, 1277Å, 1064Å ) ريغ ةععشـملا ، يه رايهنلاا تايتلوف لكشلا نيبي ثيح ( 2000V, 1600V, 1300V,1200V ) بقاعتلا ىلع . نمو لكشلا (1) صاوخ تاينحنم نإ نيبتي ) رايتلا – ةيتلوفلا ( قطانم ثلاث ىلإ ةمسقم ام ىلع قفتي اذهو يـف درو ردصملا ( Simmons, 1971) . ةـقلاعلل عضـخت اـهنأب تدجو ةماع ةروصب برستملا رايتلا ةفاثك نإ ةيلاتلا ةيضايرلا : J α V m ------(1) نأ ثيح (m) ةـيتلوفلا ىـلع ةـنيعلا نم برستملا رايتلا دامتعا ةجرد لثمي ً احيحص ً اددع لثمت ةطلسملا . يلاتلا وحنلا ىلع ةثلاثلا قطانملا ريسفت نكميو : ةقطنملا ىلولاا : ةميق اهيف نوكت ةيموأ ةقطنم اهرابتعا نكمي (m~1) برسـتملا راـيتلا نا يـنعي اذهو ةيتلوفلا عم ً ايدرط بسانتي . نوناقل ةعضاخ اهنأ ىنعمب يأ موأ . نإ ةـفاثك نوكت امدنع رهظت ةقطنملا هذه ةلاعفلا تلاماحلا Nc ةرـحلا تلاماحلا ةفاثك نم ريثكب لقأ ليصوتلا ةمزح يف No ، نأ يأ (No>Nc) . ةقطنملا هذه يف رايتلا ةفاثك نأف يلاتلابو ةيضايرلا ةقلاعلل عضخت : -------(2) d V J=No qμ نأ ثيح (q) ،ةنحشلا لثمت (μ) ،ةنحشلا ةيكرحت (d) ا ةداملا كمس تلاماـحلا ةـفاثك امأو ةلزاعل ةرحلا (No) ةيلاتلا ةقلاعلاب ىطعت :

Yahya N. Al-Jammal

Papers

The Growth and Investigation of Interface of Sio2/Si by Anodic Oxidation Technique Using Acetic Acid Medium

The Effect of Gamma Radiation On Electrical Properties For Thin Film Capacitors Of Poly Mathyl Metha Acrylate (PMMA)