Showing papers by "Franz Kreupl published in 1999"

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherbauelements

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherbauelements, insbesondere eines DRAM bzw. FeRAM, mit einem Silizium-Substrat, auf welchem zumindest ein Speicherkondensator mit unterer Elektrode, oberer Elektrode und einer dazwischen liegenden Dielektrikumschicht, insbesondere aus einem ferroelektrischen Material, angeordnet ist, wobei die untere Elektrode von dem Silizium-Substrat durch eine Barrierenschicht, insbesondere bestehend aus einer Diffusionsbarriere bzw. einem Diffusionsbarrieren-Sandwich in Kombinat mit Haftschichten, insbesondere aus Ir, IrO¶2¶, IrO, isoliert ist. Die Barrierenschicht wird vor dem Aufbringen des Speicherkondensators mittels einer Hartmaske, insbesondere aus SiO¶2¶, SiN, SiON, strukturiert, die nach der Strukturierung verbleibende Maskenschicht unter Freilegung der strukturierten Barrierenschicht entfernt wird. Es ist vorgesehen, das die strukturierte Barrierenschicht vor Entfernung der verbleibenden Maskenschicht mittels CVD (Chemical Vapour Depoisiton bzw. chemische Dampfabscheidung) in SiO¶2¶ eingebettet wird, und das die verbleibende Maskenschicht zusammen mit der SiO¶2¶-Einbettung von der Oberflache der Barrierenschicht mittels eines SiO¶2¶-CMP (Chemical Mechanical Polishing)-Prozesses entfernt wird.

Verfahren zum strukturieren eines substrats sowie vorrichtung zur durchführung eines derartigen verfahrens

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats (20) vorgeschlagen, bei dem nach dem Atzen des Substrats (20) Atzruckstande (30) von der Oberflache des Substrats (20) durch einen Gasstrom (50) entfernt werden. Die Reinigung erfolgt im wesentlichen durch eine Impulsubertragung vom Gasstrom (50) auf die Atzruckstande (30), die dadurch vom Substrat (20) entfernt werden. Besonders gute Reinigungsergebnisse werden mit einem Gasstrom (50) erreicht, der erstarrte Gaspartikel (45) aufweist. Das Verfahren eignet sich insbesondere zum Strukturieren von Metallschichten (20).

Method for structuring a substrate and device for carrying out said method

Abstract: The invention relates to a method for structuring a substrate (20). After the substrate (20) has been etched, etching residues (30) are removed from the surface of the substrate (20) by means of a gas stream (50). The cleaning is essentially carried out by means of an impulse transmission from the gas stream (50) to the etching residues (30) which are thereby removed from the substrate (20). Particularly good cleaning results are achieved with a gas stream (50) which is provided with solidified gas particles (45). The method is particularly useful for structuring metal layers (20).