Instabilitäten in anodischen Siliziumoxidschichten

TLDR: In this article, the authors show that the SiO stretching band absorption peak in the IR-Spektrum shifts from wave number 1055-1060 cm−1 to 1095 cm −1 for thermally grown silicon oxide films.

Abstract: Die Warmebehandlung anodischer Oxidschichten bewirkt die Verschiebung der Absorptionsminima von SiO-Bindungen im Infrarotspektrum von 1055–1060 cm−1 Wellenzahlwerte auf den fur thermische Oxide kennzeichnenden Wellenzahl-Wert 1095 cm−1. ahnliches Verhalten wird auch bei Lagerung an Zimmertemperatur beobachtet. Die Erscheinung kann mit der Umordnung der SiO-Bindungen erklart werden. Heat-treatment of anodic of silicon oxide films results in the shift of the SiO stretching band absorption peak in the IR-Spektrum from wave number 1055–1060 cm−1 to 1095 cm−1 characteristic for thermally grown silicon oxide films. Similar tendency can be observed by storage in atmosphere, too. This phenomenon can be explained by rearrangement of the SiO stretching bands.