Influence of intrinsic defects on the electrical properties of AIBIIIC 2VI compounds

TLDR: The electrical properties of all AIBIIIC compounds can be interpreted in a consistent manner if the electrical activity (donor or acceptor) of the intrinsic defects is considered in the covalent bonding model as mentioned in this paper.

Abstract: The electrical parameters of undoped melt grown AIBIIICVI2 crystals are compared with predictions which can made considering the deviations from stoichiometry due to the incongruent evaporation of these compounds. It is shown that the electrical properties of all AIBIIIC compounds can be interpreted in a consistent manner if the electrical activity (donor or acceptor) of the intrinsic defects is considered in the covalent bonding model. Die elektrischen Parameter undotierter, aus der Schmelze gezuchteter AIBIIIC-Kristalle werden mit den Voraussagen verglichen, die sich aus einer Betrachtung der durch die inkongruente Verdampfung bedingten Stochiometrieabweichungen ergeben. Es wird gezeigt, das eine widerspruchsfreie Interpretation der elektrischen Eigenschaften aller AIBIIIC-Verbindungen moglich ist, wenn die elektrische Wirkung (Donator oder Akzeptor) der Eigendefekte im Modell der kovalenten Bindung betrachtet wird.