Oscillations of injected carriers in p-type indium antimonide

TLDR: In this article, a negative differential resistivity region (NDR) is observed in the current-voltage characteristics at 77 K. In this NDR region, oscillations of the voltage drop, under constant current conditions, can occur which are most pronounced in magnetic fields of some 10 G.

Abstract: In n+–p–p+ structures made of p-InSb a negative differential resistivity region (NDR) is observed in the current-voltage characteristics at 77 K. In this NDR region, oscillations of the voltage drop, under constant current conditions, can occur which are most pronounced in magnetic fields of some 10 G. Their frequency is of the order of 10 kHz. It could be shown experimentally that the oscillations occur simultaneously over the whole length of the sample and that they are due to radial oscillations of a plasma channel which are caused by trapping and recombination of injected carriers. In n+–p–p+-Strukturen von p-leitendem InSb wird ein negativer differentieller Widerstandsbereich (NDR) in den Strom-Spannungscharakteristiken bei 77 K beobachtet. In diesem NDR-Bereich konnen unter der Bedingung konstanten Stromes Oszillationen des Spannungsabfalls auftreten, die bei Magnetfeldern von einigen 10 G am ausgepragtesten sind. Ihre Frequenz ist von der Grosenordnung 10 kHz. Es wird experimentell nachgewiesen, das die Oszillationen gleichzeitig uber die gesamte Probenlange auftreten und das sie durch radiale Oszillationen eines Plasmakanals hervorgerufen werden, die durch Trapping und Rekombination von injizierten Ladungstragern verursacht werden.