Showing papers in "Physica Status Solidi (a) in 1979"

Separate measurements of dynamical and kinematical X-ray diffractions from silicon crystals with a triple crystal diffractometer

Abstract: The kinematical and dynamical components of diffracted X-rays from perfect and mechanically damaged silicon single crystals are separately measured in the vicinity of the reciprocal lattice point using a triple crystal arrangement of (+n, −n, +n) setting. In the case of a perfect erystal, besides the normal dynamical diffraction, a broad and weak hump due to the lattice vibration is observed at the scattering vector deviation as small as 2 × 103 cm−1. For crystals with lapped and scratched surface a noticeable change of the intensity curves, i.e. a change of the equal-intensity contour in the reciprocal space, is observed. Die kinematischen und dynamischen Komponenten der gestreuten Rotgenstrahlen von perfekten und mechanisch gestorten Siliziumeinkristallen werden in der Nahe von reziproken Gitterpunkten mit einem Dreikristalldiffraktometer in (+n, −n, +n) Anordnung gemessen. Im Fall des perfekten Kristalls wird auser der normalen dynamischen Beugung, ein breiter und schwacherer Buckel der Kurve infolge der Gitterschwingung bei Abweichungen des Streuvektors von etwa 2 × 103 cm−1 beobachtet. Fur Kristalle mit polierten und geritzten Oberflachen wird eine merkliche Anderung der Intensitatskurve, namlich eine Anderung der Konturen gleicher Intensitat im reziproken Gitterraum, beobachtet.

Velocities of screw and 60° dislocations in n- and p-type silicon

Abstract: The velocities of screw and 60° dislocations in silicon are measured for temperatures ranging from 520 to 800 °C and stresses ranging from 4 to 30 MNm−2 and for various concentrations of phosphorous or boron atoms. n-doping results in an increase of the velocities of screw and 60° dislocations. In moderately p-doped Si, no clear effect is observed for screw dislocations while the velocities of 60° dislocations are slightly lower than in intrinsic Si. The effect of doping on the dislocation velocity is discussed mainly in terms of Haasen's calculation of the influence of the electrical charge carried by the dislocation on the formation of a double kink. In the case of 60° dislocations, the model fairly describes the measurements in heavily doped Si (≈ 1019 atoms cm−3) but underestimates the effect observed at moderate levels of doping. Les vitesses des dislocations vis et a 60° dans le silicium ont ete mesurees en fonction de la temperature de 520 a 800 °C et de la contrainte de 4 a 30 MNm−2, pour differentes concentrations en phosphore ou en bore. Le dopage n provoque une augmentation des vitesses aussi bien pour les dislocations vis que pour les dislocations a 60°. Dans le silicium de type p, pour des dopages pas trop eleves, aucun effet n'a ete clairement observe pour les dislocations vis, mais les vitesses des dislocations a 60° sont legerement inferieures a celles mesurees dans le silicium intrinseque. L'influence du dopage sur la vitesse des dislocations est discutee principalement a l'aide du modele de Haasen, qui calcule l'influence de la charge electrique portee par la dislocation sur la formation des doubles decrochements. Dans le cas des dislocations a 60°, le modele rend bien compte des mesures effectuees dans du silicium fortement dope (≈ 1019 atomes cm−3) et sous estime l'effet observe pour des dopages plus faibles.

Boron and boron-based semiconductors

Abstract: A review is given on investigations of lattice structures, electrical and optical properties of boron and boron compounds (crystalline boron modifications and their compound analogs, rare-earth compounds, Asup(III)Bsup(V)compounds).

Precipitation of oxygen in dislocation‐free silicon

Abstract: The precipitation of oxygen in bulk dislocation-free Czochralski silicon subjected to isothermal annealing at temperatures between 400 and 1100 °C is studied by means of infrared spectroscopy and transmission electron microscopy. From the changes in the infrared spectra observed after heat treatment it is concluded that (i) for low annealing temperatures (400 to 750°C) the precipitates consist of amorphous SiOx (x < 2) which with rising temperature is transformed into amorphous SiO2, (ii) at medium annealing temperatures (750 to 950 °C) α-cristobalite precipitates are formed, which (iii) at high annealing temperatures (950 to 1100 °C) are converted in amorphous SiO2. In transmission electron microscopy the temperature range (i) is characterized by the appearance of “rod-like” defects and its transformation into dislocation loops, and the ranges (ii) and (iii) by the observation of platelet-shaped precipitates generating dislocation loops and stacking faults, leading to the conversion of the platelet-shaped precipitates into microprecipitates. Es wird die Prazipitation von Sauerstoff in versetzungsfreiem Czochralski-Silizium nach isothermaler Warmebehandlung bei Temperaturen zwischen 400 und 1100 °C mit Hilfe der Infrarotspektroskopie und der Transmissions-Elektronenmikroskopie untersucht. Aus den Anderungen im Infrarotspektrum, die nach der Warmebehandlung beobachtet werden, wird geschlossen, das fur niedrige Temperungstemperaturen (400 bis 750 °C) die Prazipitate aus amorphem SiOx (x < 2) bestehen, welches sich mit wachsender Temperatur in amorphes SiO2 umwandelt, das bei mittleren Temperungstemperaturen (750 bis 950 °C) α-Cristobalit-Prazipitate gebildet werden, die sich bei hohen Temperungstemperaturen (950 bis 1100 °C) in amorphes SiO2 umwandeln. In der Transmissions-Elektronenmikroskopie wird der erste Temperaturbereich durch das Auftreten von „stabchenformigen” Defekten und deren Umwandlung in Versetzungsschleifen charakterisiert und die beiden anderen Temperaturbereiche durch die Beobachtung von plattchenformigen Prazipitaten, die Versetzungsschleifen und Stapelfehler erzeugen, was schlieslich zu einer Umwandlung der plattchenformigen Prazipitate in Mikroprazipitate fuhrt.

Dislocation dynamics in the plastic deformation of silicon crystals. II. Theoretical analysis of experimental results

Abstract: Experimental results on the deformation of silicon crystals reported in a foregoing paper are discussed on the basis of a model and a hypothesis so far proposed. The dependence of the upper and the lower yield stresses on the temperature and the strain-rate can be described reasonably well by the model of Haasen et al. Origins for some discrepancies between the results of the model and the experiments are discussed. The behaviour of the effective stress in the deformation stage after the middle of stage 0 is well described by the hypothesis of the steady state of deformation proposed by Sumino. The relation between the condition for the lower yield point and that for the steady state of deformation is discussed. Die Ergebnisse der Verformung von Siliziumeinkristallen, die in einer vorhergehenden Arbeit untersucht wurde, werden auf Grund eines Modells und einer bis jetzt vorgeschlagenen Hypothese diskutiert. Die Abhangigkeit der Ober- und Unterstreckgrenze von der Temperatur und der Verformungsgeschwindigkeit kann mit dem Modell nach Haasen et al. gut beschrieben werden. Die Ursachen einiger Verschiedenheiten zwischen den Resultaten des Modells und der Experimente werden diskutiert. Das Verhalten der Effektivspannung im Verformungsbereich nach der Mitte des Bereichs 0 wird mit der Hypothese des stationaren Zustands der Verformung, die von Sumino vorgeschlagen wurde, gut beschrieben. Das Verhaltnis zwischen der Bedingung fur die Unterstreckgrenze und der fur den stationaren Zustand der Verformung wird diskutiert.

Structure of glassy ZrCu and NbNi alloys

Abstract: A detailed structural analysis is carried out for series of ZrCu and NbNi alloy glasses by X-ray diffraction. The interatomic distances of ZrZr, ZrCu, NbNb, and NbNi pairs are found to be significantly less than the correspoding Goldschmidts' radii and to decrease with increasing Cu and Ni contents. The composition effect on the structure and characteristic structural features of these alloy glasses are also described with a comparison to those of metal-metalloid glasses. Eine eingehende rontgenographische Strukturanalyse wird fur Legierungsglaser der ZrCu- und NbNi-Reihe durchgefuhrt. Es wird gefunden, das die iteratomaren Abstande der ZrZr-,ZrCu-,NbNb- und Nb-Ni-Paare betrachtlich kleiner als die entsprechenden Goldschmidt-Radien sind und mit zunehmendem Cu- und Ni-Gehalt abnehmen. Der Einflus der Zusammensetzung auf die Struktur und die charakteristischen Struktureigenschaften dieser Legierungsglaser werden beschrieben und mit denen der metallisch-metalloidischen Glaser verglichen.

Electrical and infrared spectroscopic investigations of oxygen-related donors in silicon

Abstract: Silicon crystals containing up to 1015 cm−3 of „oxygen donors” are investigated by electrical and infrared spectroscopic measurements. The results obtained can be understood phenomenologically by the occurrence of several species of doubly charged donors, whose excited states can be fairly well described by the effective mass approximation, whereas the ground state energies are varying in such a way that, with increasing total donor concentration, species with lower ionization energies are formed at the expense of preceding ones having higher ionization energies. Siliziumkristalle, die bis zu 1015 cm−3 an „Sauerstoffdonatoren” enthalten, werden durch elektrische und infrarotspektroskopische Messungen untersucht. Die erhaltenen Resultate konnen phanomenologisch durch das Auftreten von verschiedenen Arten von Doppeldonatoren interpretiert werden, deren angeregte Zustande ziemlich gut durch die Effektivmassen-Naherung beschrieben werden konnen, wahrend die Grundzustandsenergien derart variieren, das mit wachsender totaler Donatorkonzentration Spezies mit niedrigeren Ionisierungsenergien auf Kosten der vorhergehenden mit den hoheren Ionisierungsenergien gebildet werden.

Photoinduced optical anisotropy in chalcogenide vitreous semiconducting films

Abstract: The optical anisotropy induced in films of some chalcogenide vitreous semiconductors (ChVS) by linearly polarized light is studied. The spectral responses of the photoinduced dichroism are compared with the transmission spectra of the illuminated films. The phenomenon of photoinduced anisotropy is associated with the existence of highly-dispersed, optically anisotropic structure elements in the isotropic (on the average) ChVS films. Es wird mittels polarisiertem Licht die optische Anisotropie untersucht, die in Schichten von einigen glasartigen Chalkogenidhalbleitern (ChVS) induziert wird. Die spektrale Response des photoinduzierten Dichroismus wird mit den Transmissionsspektren der belichteten Schichten verglichen. Das Phanomen der photoinduzierten Anisotropie ist mit der Existenz von hochdispersiven, optisch anisotropen Strukturelementen in den (im Mittel) isotropen ChVS-Schichten verknupft.

The Luminescence of Calcium Molybdate

Abstract: The luminescence properties of calcium molybdate are reported. Two emission bands are observed, one in the green and another in the orange spectral region. The shorter wavelength emission band is assigned to the 3T1 1A1 transition in the tetrahedral molybdate group. The longer wavelength band is ascribed to a similar transition in a molybdate group lacking an oxygen ion, i.e. a MoO3 group. Similar observations are made in the case of calcium tungstate. Es werden die Lumineszenzeigenschaften von Kalziummolybdat mitgeteilt. Zwei Emissionsbanden werden beobachtet, eine im grunen, die andere im orangen Spektralbereich. Die Emissionsbande mit der kurzeren Wellenlange wird dem 3T1 1A1-Ubergang in der tetraedrischen Molybdatgruppe zugeordnet. Die Bande mit der langeren Wellenlange wird einem ahnlichen Ubergang in einer Molybdatgruppe, in der ein Sauerstoffion fehlt, d. h. einer MoO3-Gruppe, zugeschrieben. Ahnliche Beobachtungen werden fur den Fall des Kalziumwolframats gemacht.

A theory of the Snoek‐Köster relaxation (cold‐work peak) in metals

Abstract: The paper attributes the Snoek-Koster relaxation in b.c.c. metals to the formation of kink pairs in screw dislocations in the presence of a high local concentration of foreign interstitial atoms (C, N, or O). It is shown that the activation enthalpy of the process is the sum of the kink-pair formation enthalpy of the pure metal and the migration enthalpy of the foreign atoms involved. In those cases where reliable data are available, this relationship is quite well satisfied. The theory is further supported by the recent observation that the relaxation strength of the Snoek-Koster effect in niobium is substantially greater after 77 K deformation than after room-temperature deformation, which indicates that the dislocations participating are indeed screw dislocations. Es wird eine Theorie der Snoek-Koster-Relaxation in kubisch-raumzentrierten Metallen entwickelt, die auf der Vorstellung beruht, das der Relaxationsprozes durch die Bildung von Kinkpaaren in Schraubenversetzungen in Gegenwart einer hohen lokalen Dichte von Einlagerungsfremdatomen (C, N oder O) kontrolliert wird. Die Vorhersage, das in guter Naherung die Aktivierungsenthalpie des Prozesses gleich der Summe der Kinkpaarbildungsenthalpie im reinen Metall und der Wanderungsenergie der betreffenden Fremdatome ist, wird durch die vorliegenden Experimente bestatigt. Ferner wird die Theorie durch die Beobachtung gestutzt, das die Starke der Snoek-Koster-Relaxation in Niob nach 77 K-Verformung erheblich groser als nach Raumtemperaturverformung ist, was auf die Beteiligung von Schraubenversetzungen hinweist.

An Analysis of the Dispersive Charge Transport in Vitreous 0.55 As2S3: 0.45 Sb2S3

Abstract: The measured charge transport characteristics of vitreous 0.55 As2S3: 0.45 Sb2S3 are analysed on the basis of a theory developed for the anomalous carrier drift, controlled by capture in traps distributed in energy. For the case of an exponential trap distribution the dependence of the activation energy ea on the field E and the thickness L is calculated as well as the temperature dependence of the dispersion parameter α(T). A comparison of the theoretical dependence and experimental ea versus E/L and 1/α versus 1/T curves obtained for 0.55 As2S3: 0.45 Sb2S3 allows to draw conclusions about the magnitudes of some parameters of this material. [Russian Text Ignored.]

Stresses and magnetic domains in amorphous metal ribbons

Abstract: A simplified description of the relation between stresses, magnetoelastic anisotropy, and zerofield domain structures in amorphous metal ribbons is presented and applied to experimental observations on ribbons in various stress states. Elastic bending produces regions of uniaxial and biaxial tension and uniaxial and biaxial compression, leading to three different magnetic easy axes in different regions of the ribbon. In regions where the easy axis is normal to the ribbon plane, fine closure-domain patterns form to reduce stray flux. Such patterns are seen in regions of biaxial compression on bent Fe81.5B14.5Si4 (positive magnetostriction) ribbons, and in regions of biaxial tension on bent Co80B20 (negative magnetostriction) ribbons. Other stress states considered are twisting, radial, balanced biaxial, shallow biaxial (from ion-implantation), and complex residual stress patterns in ascast ribbon. Eine vereinfachte Beschreibung der Beziehung zwischen Spannung, magnetoelastischer Anisotropie und Domanenstruktur in amorphen metallischen Bandern wird gegeben und wird auf experimentelle Beobachtungen fur Bander in verschiedenen Spannungszustanden angewendet. Elastisches Biegen erzeugt Gebiete von einachsiger und zweiachsiger Spannung und einachsiger und zweiachsiger Kompression und fuhrt zu drei verschiedenen magnetischen leichten Richtungen in verschiedenen Gebieten des Bandes. In Gebieten, in denen die leichte Richtung senkrecht zur Bandebene ist, bilden sich feine Abschlusdomanenmuster, um den Streuflus zu vermindern. Solche Domanenmuster werden in Gebieten von zweiachsiger Kompression in gebogenen Fe81,5B14,5Si4 Bandern (positive Magnetostriktion) und in Gebieten von zweiachsiger Spannung in gebogenen Co80B20 Bandern (negative Magnetostriktion) beobachtet. Andere berucksichtigte Spannungszustande sind tordiert, radial, ausgleichend zweiachsig, flach zweiachsig (mit Ionenimplantation erzeugt); ebenfalls wurden komplizierte Restspannungsmuster in gegossenen Bandern betrachtet.

X-ray and optical measurements in the In2O3SnO2 system

Abstract: Powder mixtures and coprecipitates of In2O3SnO2 of various compositions are annealed in air at 1000 °C. Solubilities of (6 ± 2) at% tin in In2O3 and of < 1 at% indium in SnO2 are found from X-ray diffraction measurements. Free electrons are generated in thin layers of the powders by a reduction heat treatment with buffered CO. The free electron absorption is determined from spectral transmission and reflection measurements. The absorption increases with the tin concentration and saturates at about 6 at% tin. It is concluded that every dissolved tin atom can be electrically active. In2O3SnO2-Pulvermischungen und Koprazipitate verschiedener Zusammensetzung werden an Luft bei 1000 °C getempert. Loslichkeiten von (6 ± 2) At% Zinn in In2O3 und von < 1 At% Indium in SnO2 werden mittels Rontgen-Diffraktometrie gefunden. Durch thermische Reduktionsbehandlung mit gepuffertem CO werden in dunnen Schichten dieser Pulver freie Elektronen erzeugt. Durch Auswertung von Transmissions- und Reflexionsspektren der Schichten wird die Absorption durch freie Ladungstrager ermittelt. Es wird gefunden, das die Absorption mit der Zinn-Dotierung steigt und bei etwa 6 At% Zinn einen Sattigungswert erreicht. Daraus wird gefolgert, das jedes geloste Zinnatom elektrisch aktiv werden kann.

Radiation‐induced processes in experiments carried out in‐situ in the high‐voltage electron microscope

Abstract: The results of experiments carried out in the HVEM may be influenced by radiation effects which occur during observation. The appropriate processes are reviewed. Atom displacement threshold energy data are compiled and the consequences for the applicable specimen thickness discussed for the case that experiments are performed under sub-threshold conditions. Die Ergebnisse von Experimenten im HSEM konnen durch Bestrahlungseffekte, die wahrend der Beobachtung auftreten, beeinflust werden. Es wird eine Ubersicht uber die entsprechenden Prozesse gegeben. Es werden Daten der Schwellenernergie fur Atomverlagerung zusammengestellt und die Konsequenzen fur die anwendbare Probendicke fur den Fall diskutiert, das Experimente unterhalb dieser Energie durchgefuhrt werden.

Spreading of extrinsic grain boundary dislocations in austenitic steel

Abstract: The dependence of the spreading process of extrinsic grain boundary dislocations (EGBD's) on grain boundary state and misorientation, and spreading kinetics in austenitic steel is investigated. Spreading of EGBD's at non-equilibrium grain boundaries obtained by successive cold rolling and annealing treatments at a temperature much lower than 0.8Tm is found to occur at approximately 450 °C. EGBD's in specimens annealed at 0.8Tm however spread at about 550 to 600 °C. This observation seems therefore to indicate that at approximately 0.8Tm an irreversible change in grain boundary structure takes place. It is also found that EGBD's lying at special and incoherent twin boundaries spread at 700 °C compared with 550 to 600 °C for equilibrium, random boundaries in the same material. Observations of spreading kinetics indicate that the latter is not solely controlled by grain boundary diffusion. Es wird die Abhangigkeit des Ausbreitungsprozesses von Extrinsic-Korngrenzenversetzungen (EGBD) auf den Korngrenzenzustand und die Fehlorientierung und Ausbreitungskinetik in Austenit-Stahl untersucht. Es wird gefunden, das eine Ausbreitung der EGBD bei Nichtgleichgewichtskorngrenzen, die durch sukzessives Kaltwalzen und Tempern bei einer Temperatur weit unterhalb 0,8 Tm erzeugt werden, bei etwa 450 °C auftritt. EGBD in Proben, die bei 0,8Tm getempert werden, breiten sich bei etwa 550 bis 600 °C aus. Diese Beobachtung scheint deshalb zu zeigen, das bei etwa 0,8Tm eine irreversible Anderung der Korngrenzenstruktur stattfindet. Es wird auch gefunden, das EGBD, die auf speziellen und inkoharenten Zwillingsgrenzen liegen, sich bei 700 °C ausbreiten, verglichen mit 550 bis 600 °C fur statistische-Gleichgewichtsgrenzen im gleichen Material. Die Ergebnisse der Ausbreitungskinetik zeigt, das die letztere nicht allein durch Korngrenzendiffusion gesteuert wird.

Magnetostriction measurements on Co-base amorphous alloys

Abstract: The magnetostriction of (CoNiFe)(Si, B) thin amorphous ribbons is measured with high accuracy making use of the stress dependence of the magnetization curve. In the CoFe base system magnetostriction is found to change its sign at 4.6 at% Fe. Addition of Ni shifts the composition of zero magnetostriction to higher Fe content. In the CoNi system no zero magnetostriction is observed in the ferromagnetic range. Amorphous ribbons with low magnetostriction exhibit outstanding magnetization curves with low coercive fields (Hc ≦ 10 mA/cm), even the unannealed state. Die Magnetostriktionskonstante dunner amorpher (CoNiFe)(Si, B)-Bander wird mit hoher Genauigkeit aus der Spannungsabhangigkeit der Magnetisierungskurve bestimmt. Im amorphen Co—Fe-System wechselt die Magnetostriktion bei 4,6 At% Fe ihr Vorzeichen. Eine Zugabe von Ni verschiebt den Bereich kleiner Magnetostriktion zu hoheren Fe-Anteilen hin. Im Co—Ni-System wird innerhalb des ferromagnetischen Bereiches kein Nulldurchgang der Magnetostriktion gefunden. Solche amorphen Bander mit kleiner Magnetostriktion weisen im ungetemperten Zustand ausgezeichnete Magnetisierungskurven mit Koerzitivfeldstarken unter 10 mA/cm auf.

Bulk and Grain Boundary Ionic Conductivity in Polycrystalline β″- Alumina

Abstract: Measurements of conductance and capacitance are made on polycrystalline β″-alumina over a range of frequencies from 10 to 107 Hz and temperatures from −130 to 400 °C. The results are analyzed using complex impedance plots which exhibited a bulk and grain boundary component. Above 220 °C the resistance of the grains exceeded that of the grain boundaries. The activation energy for bulk conductivity is found to be 0.18 eV. The low-temperature results indicated that the grain boundary impedance is being short-circuited either by easy paths through the grain boundaries and/or by some very low impedance boundaries leading to conduction, through preferred grains and grain boundaries.

Ferroelectric properties of NH4HSeO4 crystals

Abstract: Hydrogen ammonium selenate (AHSe) crystals are grown having in the room temperature 12 symmetry with lattice constants: a = 4.601, b = 7.547, and c = 19.258 A; α = γ = 90°C and β = 90.90°. Measurements of electric permittivity yield a transition in 251.3 K from the para- to ferroelectric phase. The temperature anomaly is observed in the direction of the a-axis only. The temperature dependence of permittivity fulfills the Curie-Weiss law in a region of a few Kelvins before phase transition. The character of a spontaneous polarization and the observation of double hysteresis loops over the temperature of phase transition testify that this transioton is of first order. Ammoniumhydrogenselenat (AHSe)-Monokristalle werden hergestellt, die bei Zimmertemperatur die Symmetrie 12 zeigen, mit folgenden Gitterkonstanten: a = 4,601, b = 7,547, c = 19,258 A; α = γ = 90°, β = 90,90°. Messungen der elektrischen Permeabilitat zeigen einen Ubergang von paraelektrischer zu ferroelektrischer Phase bei 251.3 K. Die Anomalie wird in Richtung der a-Achse beobachtet. Die Temperaturabhangigkeit der elektrischen Permeabilitat kann in der Nahe der Phasenumwandlung recht gut mit dem Curie-Weiss-Gesetz beschrieben werden. Der Charakter der spontanen Polarisation und die Beobachtung von zweifachen Hysteresisschleifen im Temperaturbereich um den Ubergang zeigen, das es sich um eine Phasenumwandlung erster Ordnung handelt.

Isotope effect and self-diffusion in face-centred cubic cobalt

Abstract: Self-diffusion in cobalt is investigated from 896 to 1745 K by means of the standard radio-tracer method using lathe sectioning in the paramagnetic and sputter sectioning in the ferromagnetic region. The diffusion coefficients vary between about 10−17 cm2 s−1 and 10−9 cm2 s−1; their temperature dependence can be described by DT = 0.55 exp (−2.99 eV/kT) cm2 s−1. In contrast to iron no influence of the magnetic order−disorder transition on the diffusivity is observed within the experimental accuracy. The isotope effect for self-diffusion is measured at seven temperatures in the range 1451 to 1745 K. Its magnitude and its decrease with increasing temperature indicate that diffusion occurs mainly via monovacancies with an increasing but small contribution of divacancies with increasing temperature. In Kobalt wird die Selbstdiffusion mit radioaktiven Isotopen von 896 bis 1745 K untersucht, wobei die Schichtenteilung im paramagnetischen Bereich mit Hilfe der Drehbank und im ferromagnetischen Bereich mit einer Zerstaubungs-Methode durchgefuhrt wurde. Die Diffusionskoeffizienten variieren zwischen 10−17 und 10−9 cm2 s−1 und ihre Temperaturabhangigkeit kann durch DT = 0,55 exp (−2,99 eV/kT) cm2 s−1 beschrieben werden. Im Gegensatz zum Eisen wurde kein Einflus des magnetischen Ordnungs–Unordnungs-Ubergangs auf die Diffusion innerhalb der experimentellen Genauigkeit gefunden. Der Isotopieeffekt der Selbstdiffusion wurde bei sieben Temperaturen im Bereich 1451 bis 1745 K gemessen. Seine Grose und seine Abnahme mit zunehmender Temperatur weisen darauf hin, das die Diffusion vorwiegend uber Leerstellen erfolgt und das mit zunehmender Temperatur ein zunehmender, jedoch kleiner Anteil von Doppelleerstellen beigemischt ist.

Growth, spectroscopy, and stimulated emission of cubic Bi4Ge3O12 crystals doped with Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, or Yb3+ ions

Abstract: Growth, spectral and laser properties of Bi4Ge3O12 crystals doped with TR3+ (Dy3+, Ho3+, Tm3+, Er3+, or Yb3+) ions, are investigated. Absorption and luminescence spectra of Er3+ and Yb3+ ions are analysed and their crystal-field splitting schemes according to energies up to 18400 cm−1 determined. Using the Judd-Ofelt approach of electric-dipole transitions, the integral absorption coefficients of Er3+ ions are analysed. The intensity parameter Ωt, transition probabilities from some excited states, and inter-manifold luminescence branching ratios are calculated. Ergebnisse uber Zuchtung, Spektroskopie und Lasereigenschaften von Bi4Ge3O12-Einkristallen, dotiert mit den Seltenerdionen Dy3+, Ho3+, Tm3+, Er3+ bzw. Yb3+, werden mitgeteilt, weiterhin fur Er3+ und Yb3+ die Absorptions- und Lumineszenzspektren sowie die Aufspaltungsschemata im Kristallfeld. Die integralen Absorptionskoeffizienten von Er3+-Ionen werden anhand der Judd-Ofelt-Naherung fur elektrische Dipolubergange analysiert und der Intensitatsparameter Ωt, die Ubergangswahrscheinlichkeiten einiger angeregter Zustande und die Verzweigungsverhaltnisse in die verschiedenen Lumineszenzkanale berechnet.

Spectroscopic and dielectric investigations of K2SeO4

Abstract: Measurements of the principal permittivities are performed in the vicinity of the 93 and 129 K-phase transitions of potassium selenate. The parameters of the appropriate soft modes are determined by Raman spectroscopy up to several degrees below the respective transition points. The data are analyzed in terms of a thermodynamical approach and show that strong deviations from the mean field behaviour exist at the transformation from room temperature to the incommensurate phase. Within the ferroelectric phase the phenomenological description seems to be adequate. Es wird uber Messungen der Hauptwerte der dielektrischen Suszeptibilitaten in der Umgebung der Phasenumwandlungen bei 93 und 129 K von Kaliumselenat berichtet. Auserdem werden die Parameter der entsprechenden weichen Gitterschwingungen bis einige Grad unterhalb der Umwandlungstemperaturen bestimmt. Die Daten werden im Rahmen einer thermodynamischen Beschreibung diskutiert und zeigen starke Abweichungen vom Mean-Field-Verhalten fur den Ubergang zur inkommensurablen Phase. Fur die ferroelektrische Phase scheint der phanomenologische Ansatz auszureichen.

Interstitial migration in iron at 220 K

Abstract: A synopsis is given of recent attempts to clarify the nature of the prominent resistivity recovery stage at 220 K (Stage III) in irradiated high-purity α-iron and of the related magnetic and mechanical relaxation processes. With increasing irradiation dose the height of this stage increases linearly, and its position shifts to lower temperatures according to a second-order reaction. In accord with other experimental results this is taken as evidence for free migration of an elementary point defect in iron at about 220 K. Since vacancy migration can be excluded on the basis of thermal-equilibrium measurements, Stage III is attributed to interstitial migration. Suggestions for the interpretation of the Stage-III relaxation phenomena are presented. Es wird uber neueste Untersuchungen an bestrahltem hochreinem α-Eisen berichtet, die durchgefuhrt wurden, um die Vorgange in der ausgepragten Erholungsstufe des elektrischen Widerstandes bei 220 K (Stufe III) und die in diesem Temperaturbereich auftretenden magnetischen und mechanischen Relaxationsprozesse aufzuklaren. Mit wachsender Bestrahlungsdosis wachst Stufe III linear an und verschiebt sich zu tieferen Temperaturen gemas einer Reaktion zweiter Ordnung. Daraus wird geschlossen, das in Eisen bei ungefahr 220 K eine elementare atomare Fehlstelle frei wandert. Da Leerstellenwanderung aufgrund von Messungen im thermischen Gleichgewicht ausgeschlossen werden kann, wird Stufe III der freien Wanderung von Zwischengitteratomen zugeschrieben. Deutungsmoglichkeiten der Relaxationserscheinungen im Bereich der Stufe III werden vorgeschlagen.

On two types of creep behaviour of F.C.C. solid solution alloys

Abstract: On the basis of careful steady state creep rate measurements in a broad stress interval at 623 K the “critical”' stress σc is determined at which the transition from the behaviour characteristic for Class I to that characteristic for Class II solids (according to Sherby's and Burke's classification) takes place in an Al–5.5 at% Mg solid solution alloys. The critical stress σc is then used to determine the boundary of the regions of the conditions at which solid solution alloys behave as Class I and Class II solids, respectively. It is taken into account that, generally, Dc ≠ Dg (Dc and Dg are the coefficients of diffusion that controls dislocation climb and dislocation glide, respectively). For this determination the Mohamed-Langdon criterion is applied. The prediction is made of creep behaviour of several binary solid solution alloys and is found in agreement with the experiment. Also the investigation of transient creep (primary creep and the creep taking place after stress changes in the secondary as well as in the primary creep stage) gives evidence of two types of creep behaviour of an Al–5.5 at% Mg solid solution alloy. [Russian Text Ignored]

The electrical recombination efficiency of individual edge dislocations and stacking fault defects in n‐type silicon

Abstract: The EBIC mode of the SEM is used to study the electrical recombination behaviour of defects in n-type Si over the temperature range 120 to 300 K. The electrical behaviour of individual defects is related to the structure of the same individual defects as determined by the weak-beam technique of transmission electron microscopy. The defects studied consist of (a/2) 〈110〉 edge dislocations, Frank partial dislocations and stacking faults, present in the phosphorus-doped emitter region of a bipolar transistor. The electrical recombination efficiency of the (a/2) 〈110〉 edge dislocation is significantly enhanced upon the dissociation of the perfect dislocation into its constituent 60° partials. The variations of EBIC contrast with temperature for dissociated and undissociated (a/2 〈110〉 edge dislocations are also different. Similarly, the electrical recombination efficiency of the Frank partial dislocation, and the variation of its EBIC contrast with temperature, are altered significantly upon a change in the direction (and not character) of the dislocation. No significant EBIC contrast is observed from stacking faults over the entire temperature range. It is concluded that the electrical behaviour of the dislocations investigated is strongly affected by their core structure.

Effects of thermal relaxation on an amorphous superconducting Zr–Rh alloy

Abstract: The electronic and superconducting properties of an amorphous transition metal alloy are used to evaluate the effects of low temperature annealing. It is observed that the superconducting transition temperature and the electrical resistivity relax exponentially in time from their initial value to a final relaxed value. From this an activation energy for the relaxation process is derived and an explanation is suggested which involves internal stress.

Formation of aluminium thin films in the presence of oxygen and nickel.

Abstract: After reviewing the structural properties and formation of Al thin films on the basis of literature, the phenomena of crystal growth taking place in vacuum deposited Al films are discussed. The presence of oxygen in the residual gases affects the layer growth of the individual crystallites directly. The adsorbed oxygen accumulates at the growth steps continuously and in consequence of this, oxide precipitates and two-dimensional oxide films can develop along the steps, hindering the growth of layers. These phenomena depend on the orientation of crystallites and influence both the coalescence of contacting crystallites and their recrystallization in continuous films. The formation of inhomogeneous structures and hillocks is explained using these results. Anschliesend an einen Uberblick uber die Bildung und die strukturellen Eigenschaften von dunnen Aluminiumschichten werden die Wachstumsphanomene beschrieben, die in dunnen Aluminium-Aufdampfschichten auftreten. Das Schichtwachstum der einzelnen Kristallite wird direkt durch Sauerstoff aus dem Restgas des Vakuums beeinflust. Als Folge einer kontinuierlichen Anreicherung des adsorbierten Sauerstoffs an den Stufen konnen sich Oxidausscheidungen und zweidimensionale Oxidschichten langs der Stufen bilden, die das Schichtwachstum behindern. Diese Phanomene hangen von der Orientierung der Kristallite ab und beeinflussen sowohl die Koaleszenz benachbarter Kristallite als auch die Rekristallisation kontinuierlicher Filme. Auf der Grundlage dieser Resultate wird die Bildung von Hugeln und inhomogenen Strukturen erklart.