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Franz Kreupl
Researcher at Technische Universität München
Publications - 269
Citations - 6240
Franz Kreupl is an academic researcher from Technische Universität München. The author has contributed to research in topics: Carbon nanotube & Layer (electronics). The author has an hindex of 40, co-authored 269 publications receiving 5986 citations. Previous affiliations of Franz Kreupl include Infineon Technologies & SanDisk.
Papers
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Patent
Verfahren zum strukturieren eines substrats sowie vorrichtung zur durchführung eines derartigen verfahrens
Volker Weinrich,Franz Kreupl,Annette Sänger,Walter Hartner,Manfred Engelhardt,Manuela Schiele +5 more
TL;DR: In this paper, a Verfahren zum Strukturieren eines Substrats (20) vorgeschlagen, bei dem nach dem Atzen des Substrat (20), Atzruckstande (30) von der Oberflache des substrats, durch einen Gasstrom (50) entfernt werden.
Patent
Vertically integrated field-effect transistor, the field effect transistor arrangement and method for fabricating a vertically integrated field-effect transistor
Andrew Graham,Franz Hofmann,Wolfgang Hönlein,Johannes Kretz,Franz Kreupl,Erhard Landgraf,Johannes R Luyken,Wolfgang Dr. Rösner,Thomas Schulz,Michael Specht +9 more
TL;DR: In this article, the authors introduced a built-in through hole nanostructure having a first input coupled to the first electrically conductive layer with a second end portion and coupled with the second end portions of the electricallyconductive layer.
Patent
Method for structuring a substrate and device for carrying out said method
Volker Weinrich,Franz Kreupl,Annette Sänger,Walter Hartner,Manfred Engelhardt,Manuela Schiele +5 more
TL;DR: In this article, a method for removing etching residues from the surface of a substrate (20) by means of a gas stream (50) was proposed. But this method was not suitable for metal layers.
Patent
Electronic component, method for producing a conductive connection in an electronic Bauelelent and method for fabricating an electronic device
TL;DR: In this article, an elektronisches Bauelement weist eine erste leitende Schicht, eine nicht-leitend Schicht sowie eine zweite leitender Schicht auf.
Patent
Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffektransistors, Nanoelement-Feldeffekttransistor und Nanoelement-Anordnung
Franz Kreupl,Robert Seidel +1 more
TL;DR: In this paper, a verfahren zum Herstellung eines nanoelement-Feldeffekttransistors wird ein Nanoelement fixmegebildet, ein erster and ein zweiter Source-/Drain-Bereich mit dem nanoprocessor gekoppelt, dass ein Bereich des nanoelements freigelegt wird, and eine Gate-isolierende Struktur und eine gate-struktur das Nanoelements v