Soitec

About: Soitec is a company organization based out in Bernin, France. It is known for research contribution in the topics: Layer (electronics) & Silicon on insulator. The organization has 589 authors who have published 1062 publications receiving 13737 citations. The organization is also known as: Soitec (France).

Micro-sensor for detecting chemical species and associated manufacturing method

Abstract: A microsensor for detecting ions in a fluid, comprises: a field-effect transistor having a source, a drain, an active region between the source and the drain, and a gate disposed above the active region, an active layer, in which the active region is formed, a dielectric layer positioned beneath the active layer, a support substrate disposed under the dielectric layer and comprising at least one buried cavity located plumb with the gate of the field-effect transistor in order to receive the fluid.

Anpassung des Gitterparameters einer Schicht aus verspanntem Material

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anpassen des Gitterparameters einer Keimschicht (3) aus verspanntem Material, das die folgenden aufeinanderfolgenden Schritte umfasst: a) es wird eine Struktur geschaffen, die eine Keimschicht (3) aus verspanntem Material, mit einem Gitterparameter A, einem Nenn-Gitterparameter A n und einem Warmeausdehnungskoeffizienten CTE, eine Schicht (2) niedriger Viskositat und ein Zwischensubstrat (1) mit einem Warmeausdehnungskoeffizienten CTE1 aufweist; b) eine Warmebehandlung wird durchgefuhrt, um die Keimschicht (3) aus verspanntem Material zu entspannen; und c) die Keimschicht (3) wird auf ein Tragersubstrat (5) mit einem Warmeausdehnungskoeffizienten CTE5 ubertragen, wobei das Zwischensubstrat (1) und das Tragersubstrat (5) so gewahlt werden, dass A 1 CTE1 oder A 1 > A n und CTE1 ≥ CTE3 und CTE5 < CTE1.

Micro-capteur pour detecter des especes chimiques et procede de fabrication associe

Abstract: L'invention concerne un micro-capteur (100) pour la detection d'ions dans un fluide, comprenant : • un transistor (5) a effet de champ presentant une source (51), un drain (52), une region active (54) entre la source (51) et le drain (52), et une grille (53) disposee au-dessus de la region active (54), • une couche active (4) dans laquelle est formee la region active (54), • une couche dielectrique (3) disposee sous la couche active (4), • un substrat support (1), dispose sous la couche dielectrique (3) et comportant au moins une cavite (2) enterree, localisee a l'aplomb de la grille (53) du transistor (5), pour accueillir le fluide.