Soitec

About: Soitec is a company organization based out in Bernin, France. It is known for research contribution in the topics: Layer (electronics) & Silicon on insulator. The organization has 589 authors who have published 1062 publications receiving 13737 citations. The organization is also known as: Soitec (France).

Kinetics and coupled dynamics of dewetting and chemical reaction in Si/ $$\hbox {SiO}_2$$SiO2 /Si system

Abstract: We report on the observation of a coupling between the dewetting of a Si layer on $$\hbox {SiO}_{{2}}$$ induced by surface/interface energy minimization and the etching between both materials due to the $$\hbox {Si}+\hbox {SiO}_{2}\longrightarrow 2$$ $$\hbox {SiO}^\uparrow _g$$ reaction. In the limit of a thin $$\hbox {SiO}_{{2}}$$ layer ( $$\le 10 \,\hbox {nm}$$ ) sandwiched between a Si layer and a Si handle wafer, the front of Si dewetting and the front of $$\hbox {SiO}_{{2}}$$ etching coexist in a narrow region. The interplay between both phenomena gives rise to specific morphologies. We show that extended Si fingers formed by dewetting are stabilized with respect to Rayleigh–Plateau-type instability over tenth of microns thanks to a localized etching of the $$\hbox {SiO}_{{2}}$$ layer. The breakup of this structure occurs abruptly by an unzipping process combining dewetting and etching phenomena. We also put in evidence that Si rings are created with a thin $$\hbox {SiO}_{{2}}$$ layer in the center. These processes are thermally activated with an activation energy of $$2.4\pm 0.5 \,\hbox {eV}$$ and $$4.0\pm 0.5 \,\hbox {eV}$$ , respectively, for dewetting and the etching reaction. All these results highlight the respective roles of wetting and etching in Si/ $$\hbox {SiO}_{{2}}$$ /Si system dynamics and could be a stepping stone for the development of advanced processes based on Silicon-On-Insulator technology.

Methods of depositing a semiconductor material on a substrate

Abstract: Methods of depositing material on a substrate include forming a precursor gas and a byproduct from a source gas within a thermalizing gas injector. The byproduct may be reacted with a liquid reagent to form additional precursor gas, which may be injected from the thermalizing gas injector into a reaction chamber. Thermalizing gas injectors for injecting gas into a reaction chamber of a deposition system may include an inlet, a thermalizing conduit, a liquid container configured to hold a liquid reagent therein, and an outlet. A pathway may extend from the inlet, through the thermalizing conduit to an interior space within the liquid container, and from the interior space within the liquid container to the outlet. The thermalizing conduit may have a length that is greater than a shortest distance between the inlet and the liquid container. Deposition systems may include one or more such thermalizing gas injectors.

Procede et dispositif de fabrication de couche de materiau semi-conducteur

Abstract: L'invention concerne un procede de fabrication d'un substrat en materiau semi-conducteur, caracterise en ce qu'il comporte les etapes consistant a : - Partant d'un substrat donneur (30) en un premier materiau semi-conducteur a une temperature initiale, - Mettre en contact une surface (31) du substrat donneur (30) avec un bain (20) d'un deuxieme materiau semi-conducteur maintenu a l'etat liquide a une temperature superieure a ladite temperature initiale, le deuxieme materiau semi-conducteur etant choisi de sorte que sa temperature de fusion soit inferieure a la temperature de fusion du premier materiau semi-conducteur, - Faire solidifier sur ladite surface (31) le materiau du bain pour epaissir le substrat donneur (30) par une couche solidifiee. L'invention concerne egalement un dispositif pour la mise en œuvre d'un tel procede.

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen umfassend Transistorkanäle mit unterschiedlichen Spannungszuständen und verwandte Halbleiterstrukturen

Abstract: Verfahren zur Herstellung von einer Halbleiterstruktur beinhalten das Implantieren von Ionen in einen zweiten Bereich einer Schicht aus gestrecktem Halbleiter auf einem mehrschichtigen Substrat, um einen Teilbereich des kristallinen Halbleitermaterials im zweiten Bereich der Schicht aus gestrecktem Halbleiter in amorphes Material umzuwandeln, ohne einen ersten Bereich der Schicht aus gestrecktem Halbleiter in amorphes Material umzuwandeln. Der amorphe Bereich wird rekristallisiert und Elemente werden innerhalb der Halbleiterschicht diffundiert, um eine Konzentration der diffundierten Elemente in einem Teilbereich des zweiten Bereiches der Schicht aus gestrecktem Halbleiter anzureichern und den Spannungszustand darin relativ zum Spannungszustand des ersten Bereiches der Schicht aus gestrecktem Halbleiter zu andern. Eine erste Vielzahl von jeweils einen Teilbereich des ersten Bereiches der Halbleiterschicht umfassenden Transistorkanalstrukturen und eine zweite Vielzahl von jeweils einen Teilbereich des zweiten Bereiches der Halbleiterschicht umfassenden Transistorkanalstrukturen werden gebildet.

Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice comprenant un interposeur

Abstract: L'invention concerne un procede permettant de former une structure semi-conductrice comprenant l'introduction, dans des conditions choisies, de composes d'hydrogene et d'helium dans un support temporaire (1) afin de former une zone de faiblesse (2) a une profondeur predeterminee a l'interieur de celui-ci , et pour definir une couche superficielle (3) et une partie residuelle (4) du support temporaire (1) ; la formation d'une couche d'interconnexion (5) sur le support temporaire (1) ; la mise en place d'au moins une puce a semi-conducteur (6) sur la couche d'interconnexion (5) et la fourniture d'energie au support temporaire (1) pour detacher la partie residuelle (4) et fournir la structure semiconductrice .